[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括多个子像素以及穿过子像素的存储电容总线，其特征在于，每个子像素具有第一电极和第二电极；

所述第一电极为像素电极；

所述第二电极为导体；所述第二电极与所述存储电容总线连接；所述第二电极与所述第一电极位于不同层，且所述第二电极在所述第一电极所在面上的投影的至少部分区域位于所述第一电极内。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个子像素包括薄膜晶体管，所述第二电极与所述薄膜晶体管的有源层同层设置。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极和存储电容总线之间形成有绝缘层，所述绝缘层上形成有过孔，所述第二电极和存储电容总线通过所述过孔连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极为导体化的金属氧化物半导体。

5.根据权利要求1或4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极的透光率小于或等于所述第一电极的透光率。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极包括多个子电极，相邻的子电极之间具有缝隙。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，每个所述子电极的形状为条状、折线状和米字状中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素；

每个像素单元的各子像素中，第二电极的透光率不等。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素；

所述红色子像素中第二电极的透光率大于所述绿色子像素中第二电极的透光率大于所述蓝色子像素中第二电极的透光率。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素具有第二电极的多个设置位置；每个子像素中的第二电极可选择地设置在多个设置位置中的其中一个。

11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括在基板上形成存储电容总线、第一电极、第二电极，以及位于存储电容总线和第二电极之间的绝缘层的步骤；

其中，在形成绝缘层的步骤中所形成的绝缘层具有过孔，所述存储电容总线和第二电极通过所述过孔连接；

用于形成第二电极的材料为金属氧化物半导体；在形成第二电极的图形之后，对所形成的第二电极进行导体化处理，以形成作为导体的第二电极。

12.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括制备薄膜晶体管的步骤；

所述第二电极的图形与所述薄膜晶体管的有源层的图形通过单次沉积工艺形成。

13.根据权利要求12所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成第二电极和有源层的步骤中，采用半色调掩膜工艺同时形成第二电极的图形和有源层的图形，之后对第二电极进行导体化处理。

14.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～10中任意一项所述的阵列基板。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为多畴配向的VA面板，所述存储电容总线在所述子像素区域内沿所述子像素的暗纹区走向设置。

16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求14或15所述的显示面板。