[发明专利]动态随机存取存储器结构及其制造方法

说明书

本发明公开一种动态随机存取存储器结构，包括基底、埋入式字线结构、位线结构、接触窗、多个间隙壁与接垫。埋入式字线结构位于基底中。位线结构位于埋入式字线结构的一侧的基底上。接触窗位于埋入式字线结构的另一侧的基底上。间隙壁位于接触窗的两侧。接垫位于接触窗上，且位于相邻两个间隙壁之间。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)结构及其制造方法。

背景技术

目前发展出一种动态随机存取存储器，包括彼此耦接晶体管与电容器。在此种动态随机存取存储器中，使用电容器作为存储节点(storage node)。此外，为了提升存储密度(storage density)，常会将彼此电性连接的电容器与存储节点接触窗(storage nodecontact)错位排列。然而，在将电容器与存储节点接触窗错位排列的情况下，会产生较高的接触电阻，且用于形成电容器的蚀刻制作工艺可能导致击穿的问题(punch throughissue)，而降低存储器元件的电性表现。

关于上述问题，目前常见的解决方法是在存储节点接触窗与电容器之间增加接垫。然而，上述接垫通常需要两个光掩模来进行制作，因此制作工艺复杂且制造成本较高。

发明内容

本发明提供一种动态随机存取存储器结构及其制造方法，其可降低制作工艺复杂度与制造成本。

本发明提出一种动态随机存取存储器结构，包括基底、埋入式字线结构、位线结构、接触窗、多个间隙壁与接垫。埋入式字线结构位于基底中。位线结构位于埋入式字线结构的一侧的基底上。接触窗位于埋入式字线结构的另一侧的基底上。间隙壁位于接触窗的两侧。接垫位于接触窗上，且位于相邻两个间隙壁之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构中，位于接触窗下方的基底可具有凹陷，且部分接触窗可位于凹陷中。

依照本发明的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构中，更可包括阻障层。阻障层位于接触窗与基底之间。

本发明提出一种动态随机存取存储器结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底中形成埋入式字线结构。在埋入式字线结构的一侧的基底上形成位线结构。在埋入式字线结构的另一侧的基底上形成接触窗。在接触窗的两侧形成多个第一间隙壁。在接触窗上形成接垫。接垫位于相邻两个第一间隙壁之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构的制造方法中，位线结构可包括位线接触窗(bit line contact)、位线与硬掩模层。位线接触窗位于基底上。位线位于位线接触窗上。硬掩模层位于位线上。

依照本发明的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构的制造方法中，接触窗的形成方法可包括以下步骤。在基底上形成牺牲层。在牺牲层中形成多个第一开口。在多个第一开口中形成多个第二间隙壁。移除牺牲层，而形成第二开口，且暴露出基底。在第二开口中形成接触窗。接触窗的顶面的高度可低于第二间隙壁的顶面的高度，而形成第一凹陷。

依照本发明的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构的制造方法中，接垫与第一间隙壁的形成方法可包括以下步骤。降低硬掩模层的高度，而使得第一凹陷延伸至硬掩模层上方。在第一凹陷中形成接垫层。在形成接垫层之后，移除第二间隙壁，而形成第三开口。在第三开口中形成第一间隙壁。第一间隙壁的材料与第二间隙壁的材料不同。对接垫层进行图案化，而形成接垫。

依照本发明的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构的制造方法中，更可包括以下步骤。在移除牺牲层之后，可移除部分基底，而在基底中形成第二凹陷。

依照本发明的一实施例所述，在上述动态随机存取存储器结构的制造方法中，接触窗的形成方法可包括以下步骤。在基底上形成接触窗层。对接触窗层进行图案化，而形成接触窗与多个第一开口。