[发明专利]动态随机存取存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器结构，包括：

基底；

埋入式字线结构，位于所述基底中；

位线结构，位于所述埋入式字线结构的一侧的所述基底上；

接触窗，位于所述埋入式字线结构的另一侧的所述基底上；

多个间隙壁，位于所述接触窗的两侧；以及

接垫，位于所述接触窗上，且位于相邻两个所述间隙壁之间。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，其中位于所述接触窗下方的所述基底具有凹陷，且部分所述接触窗位于所述凹陷中。

3.如权利要求1所述的动态随机存取存储器结构，还包括：

阻障层，位于所述接触窗与所述基底之间。

4.一种动态随机存取存储器结构的制造方法，包括：

提供基底；

在所述基底中形成埋入式字线结构；

在所述埋入式字线结构的一侧的所述基底上形成位线结构；

在所述埋入式字线结构的另一侧的所述基底上形成接触窗；

在所述接触窗的两侧形成多个第一间隙壁；以及

在所述接触窗上形成接垫，其中所述接垫位于相邻两个所述第一间隙壁之间。

5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，其中所述位线结构包括：

位线接触窗，位于所述基底上；

位线，位于所述位线接触窗上；以及

硬掩模层，位于所述位线上。

6.如权利要求5所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，其中所述接触窗的形成方法包括：

在所述基底上形成牺牲层；

在所述牺牲层中形成多个第一开口；

在多个所述第一开口中形成多个第二间隙壁；

移除所述牺牲层，而形成第二开口，且暴露出所述基底；以及

在所述第二开口中形成所述接触窗，其中所述接触窗的顶面的高度低于所述第二间隙壁的顶面的高度，而形成第一凹陷。

7.如权利要求6所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，其中所述接垫与所述第一间隙壁的形成方法包括：

降低所述硬掩模层的高度，而使得所述第一凹陷延伸至所述硬掩模层上方；

在所述第一凹陷中形成接垫层；

在形成所述接垫层之后，移除所述第二间隙壁，而形成第三开口；

在所述第三开口中形成所述第一间隙壁，其中所述第一间隙壁的材料与所述第二间隙壁的材料不同；以及

对所述接垫层进行图案化，而形成所述接垫。

8.如权利要求6所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，还包括：

在移除所述牺牲层之后，移除部分所述基底，而在所述基底中形成第二凹陷。

9.如权利要求5所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，其中所述接触窗的形成方法包括：

在所述基底上形成接触窗层；以及

对所述接触窗层进行图案化，而形成所述接触窗与多个第一开口。

10.如权利要求9所述的动态随机存取存储器结构的制造方法，其中所述接垫与所述第一间隙壁的形成方法包括：

在多个所述第一开口中形成多个第二间隙壁；

降低所述硬掩模层的高度与所述接触窗的高度，而在所述硬掩模层与所述接触窗上方形成第一凹陷；

在所述第一凹陷中形成接垫层；

对所述接垫层进行图案化，而形成所述接垫；

在形成所述接垫之后，移除所述第二间隙壁，而形成第二开口；以及

在所述第二开口中形成所述第一间隙壁，其中所述第一间隙壁的材料与所述第二间隙壁的材料不同。