[发明专利]测试转接板以及测试装置在审
申请号: | 202111376587.2 | 申请日: | 2021-11-19 |
公开(公告)号: | CN116148617A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 李家宇;杨莉娟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R31/00 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 郭学秀 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 转接 以及 装置 | ||
一种测试转接板以及测试装置,其中,测试转接板用于承载多个测试体且与多个测试体相配合进行测试,测试转接板包括:底座;底座包括配置区与配置区相邻的扩展区;插座,包括多个阵列排布的引脚孔,分布于所述底座上;位于所述配置区的一个或多个引脚孔构成第一引脚孔组,位于所述扩展区一个或多个引脚构成第二引脚孔组;连接线,连接第一引脚孔组和第二引脚孔组中相对应的引脚孔;与配置区的引脚孔对应的引脚,分立于配置区的引脚孔的下方。通过调整测试转接板上引脚孔的位置分布以及电性连接方式,使得测试转接板的插座能够承载并且与更多类型的测试体相配合使用,提高了测试装置的通用性。
技术领域
本发明实施例涉及半导体器件测试领域,尤其涉及一种测试转接板以及测试装置。
背景技术
金属互连线的电迁移(Electro-migration,EM)是微电子器件中主要的失效机理之一,电迁移造成金属互连线的开路或短路,使器件的漏电流增加甚至失效。产生电迁移的直接原因是金属原子的移动,当金属互连线内的电流密度较大时,电子在静电场力的驱动下由负极向正极高速运动且形成电子风(Electron Wind),金属原子在电子风的驱动下从负极向正极定向扩散,从而发生电迁移,进而在金属互连线中形成空洞和凸起物。随着半导体器件尺寸向亚微米、深亚微米发展,金属互连线的尺寸也不断减小,从而导致电流密度不断增加,电迁移更易造成半导体器件的失效。因此,金属互连线的电迁移评价就备受重视。
传统的电迁移评价方法通过封装级可靠性测试(Package level reliabilitytest)来完成,这种电迁移测试方法包括:将测试结构(Test Key)从晶圆上切割下来,之后对测试结构进行简单封装,再对封装后的测试结构进行测试。其中,对测试结构进行简单封装通常是将测试结构贴装到测试体(例如:双列直插陶瓷管壳(Side Braze))上,并利用打线(wire bond)的方式使测试结构的焊盘与测试体对应的焊盘之间实现电连接,获得测试样品,之后再将测试体的引脚(Pin)插入到测试载台(例如:测试板(Device Under Test,DUT board)的插座(Socket))中,从而使测试结构与测试设备之间实现电连接。
但是,目前测试装置的通用性有待提高。
发明内容
本发明实施例解决的问题是提供一种测试转接板以及测试装置,提高了测试装置的通用性。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种测试转接板,用于承载多个测试体且与多个测试体相配合进行测试,所述测试转接板包括:底座;所述底座包括配置区和与所述配置区相邻的扩展区;插座,包括多个阵列排布的引脚孔,分布于所述底座上;位于所述配置区的一个或多个引脚孔构成第一引脚孔组,位于所述扩展区一个或多个引脚构成第二引脚孔组;连接线,连接所述第一引脚孔组和第二引脚孔组中相对应的引脚孔;与所述配置区的所述引脚孔对应的引脚,分立于所述配置区的所述引脚孔的下方。
可选的,所述测试转接板用于与所述多个测试体相配合进行电迁移可靠性测试。
可选的,所述引脚的材料包括金和铜中的任意一种或两种。
可选的,所述第一引脚孔组和第二引脚孔组的数量相等且为两个或多个。
可选的,所述配置区与所述扩展区沿行向排布;所述第一引脚孔组和第二引脚孔组沿行向间隔设置;所述连接线分别连接所述第一引脚孔组和相邻的第二引脚孔组中每一行对应的一对引脚孔。
可选的,所述底座的材料包括陶瓷。
可选的,所述连接线的材料包括金和铜中的任意一种或两种。
可选的,所述测试转接板应用于测试装置;所述测试装置包括:测试载台,所述测试载台上设置有多个阵列排布的插孔;所述测试转接板用于与所述测试载台配合进行测试;其中,所述引脚的位置与所述测试载台的插孔的位置相对应。
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