[发明专利]支撑单元和用于处理基板的设备在审
| 申请号: | 202111376062.9 | 申请日: | 2021-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN114520168A | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
| 发明(设计)人: | 宋修汉;金喆求;崔重奉;申哲榕;金载烈 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 钟锦舜;刘烽 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 支撑 单元 用于 处理 设备 | ||
提供一种用于支撑基板的支撑单元,所述支撑单元包括:加热构件,所述加热构件配置成将热能传递至被支撑的基板;反射板,所述反射板设置在加热构件下方且配置成将加热构件产生的热能反射至基板;冷却板,所述冷却板设置在反射板下方且形成有冷却流动路径,冷却流体在所述冷却流动路径中流动;以及供气管线,所述供气管线配置成向反射板与冷却板之间的空间供应气体。
技术领域
本发明涉及一种支撑单元和基板处理设备。
背景技术
一般而言,在处理玻璃基板或晶圆过程或在制造平板显示设备或半导体过程中会进行各种工艺,诸如光阻剂涂覆工艺、显影工艺、蚀刻工艺以及灰化工艺。在各种工艺中,为了移除附着在基板上的各种污染物,进行使用化学溶液或去离子水的湿式清洗工艺以及用于干燥残留在基板表面上的化学溶液或去离子水的干燥工艺。
近来,进行了通过使用诸如硫酸或磷酸的化学溶液来选择性地移除氮化硅膜及氧化硅膜的处理工艺(例如,蚀刻工艺)。在使用化学溶液的基板处理设备中,使用加热基板的基板处理设备来提高处理基板的效率。美国专利申请案公开第2016-0013079号公开了基板处理设备的实例。根据该专利,基板处理设备包括旋转头内的加热基板的灯具以及反射由灯具辐射的热的反射板。当由灯具辐射的热量传递至基板时,基板的温度升高,从而提高了化学品对基板的处理效率。
然而,当灯具辐射的热传递至旋转基板的旋转头的驱动装置时,驱动装置的温度升高。当驱动装置的温度升高时,将无法正常驱动驱动装置或使得驱动装置发生故障。
发明内容
本发明致力于提供一种能够有效地处理基板的支撑单元和基板处理设备。
本发明亦致力于提供一种使由加热构件产生的传递至旋转驱动单元的热量最小化的支撑单元和基板处理设备。
本发明亦致力于提供一种使在冷却板的冷却流动路径中流动的冷却流体的沸腾现象最小化的支撑单元及基板处理设备。
本发明亦致力于提供一种使处理液体或杂质进入卡盘的内部空间的流入最小化的支撑单元及基板处理设备。
本发明亦致力于提供一种使向灯具传输电力的电源终端的温度过度升高最小化的支撑单元及基板处理设备。
本发明所要解决的问题不限于上述问题,并且本领域技术人员通过以下描述将清楚地理解未提及的问题。
本发明的示例性实施例提供用于支撑基板的支撑单元,所述支撑单元包括:加热构件,所述加热构件配置成将热能传递至被支撑的基板;反射板,所述反射板设置在加热构件下方且配置成将加热构件产生的热能反射至基板;冷却板,所述冷却板设置在反射板下方且形成有冷却流动路径,冷却流体在所述冷却流动路径中流动;以及供气管线,所述供气管线配置成向反射板与冷却板之间的空间供应气体。
根据示例性实施例,所述冷却板的上表面可具有:接触部分,所述接触部分与所述反射板接触;以及间隔部分,所述间隔部分与所述反射板间隔开以形成空间。
根据示例性实施例,当从上方观察时,冷却板的边缘区域中每单位面积的接触部分与间隔部分的比率可大于冷却板的中心区域中每单位面积的接触部分与间隔部分的比率。
根据示例性实施例,所述供气管线可包括:第一供气管线,所述第一供气管线向空间供应气体,以及第二供气管线,所述第二供气管线向冷却板的下部分供应气体。
根据示例性实施例,所述支撑单元可进一步包括:卡盘台,所述卡盘台联接至旋转驱动单元以能够旋转,以及窗,所述窗设置在卡盘台上方且与卡盘台结合以形成内部空间,加热构件、反射板和冷却板设置在内部空间中。
根据示例性实施例,在所述窗的侧表面中可形成有排放孔,由供气管线供应的气体经由所述排放孔排放。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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