[发明专利]一种太阳能单晶电池刻蚀工序所用行走滚轮的清洗方法

权利要求书

1.一种太阳能单晶电池刻蚀工序所用行走滚轮的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括以下步骤：

(1)将行走滚轮浸入纯水中，并加入清洗剂，浸泡第一时间段；

(2)用纯水冲洗步骤(1)所得行走滚轮，浸入双氧水溶液中，浸泡第二时间段；

(3)用纯水冲洗步骤(2)所得行走滚轮，浸入混酸溶液中，浸泡第三时间段；

(4)将步骤(3)所得行走滚轮浸入纯水中，浸泡第四时间段；

(5)用纯水冲洗步骤(4)所得行走滚轮，吹干并烘干后，得到清洗后的行走滚轮；

其中，所述纯水具体为含盐量≤1mg/L的纯水。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法在清洗槽中进行；

优选地，所述清洗槽为耐酸碱腐蚀的槽体，且设置有槽盖与加热系统。

3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，步骤(1)在进行之前还包括用纯水冲洗清洗槽的内壁，并排空槽内液体；

优选地，以质量份数计，步骤(1)所述清洗剂的组成为：

优选地，所述泡沫剂包括十二烷基硫酸钠和/或脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠。

4.根据权利要求2或3所述的清洗方法，其特征在于，步骤(1)所述纯水的体积为清洗槽总容积的1/20-1/5；

优选地，步骤(1)所述清洗剂的加入量占槽内液体总质量的0.5％-1.5％；

优选地，步骤(1)所述清洗剂在加入后将清洗槽注满纯水；

优选地，步骤(1)所述浸泡的温度为30-50℃；

优选地，步骤(1)所述第一时间段为1-60min。

5.根据权利要求1-4任一项所述的清洗方法，其特征在于，步骤(2)所述双氧水溶液中双氧水与去离子水的体积比为1:(5-15)；

优选地，步骤(2)所述浸泡的温度为50-60℃；

优选地，步骤(2)所述第二时间段为1-60min。

6.根据权利要求1-5任一项所述的清洗方法，其特征在于，步骤(3)所述混酸溶液中的酸种类包括氢氟酸和/或盐酸。

7.根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，步骤(3)所述混酸溶液中的酸种类为氢氟酸和盐酸；

优选地，步骤(3)所述混酸溶液中氢氟酸、盐酸与去离子水的体积比为(0.3-5):(0.3-5):25；

优选地，步骤(3)所述浸泡的温度为20-30℃；

优选地，步骤(3)所述第三时间段为60-120min。

8.根据权利要求1-7任一项所述的清洗方法，其特征在于，步骤(4)所述浸泡的温度为20-30℃；

优选地，步骤(4)所述第四时间段为40-80min。

9.根据权利要求1-8任一项所述的清洗方法，其特征在于，步骤(5)所述吹干采用氮气进行；

优选地，步骤(5)所述烘干的温度≤50℃；

优选地，步骤(5)所述烘干的时间为1-30min。

10.根据权利要求1-9任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括以下步骤：

(1)用纯水冲洗清洗槽的内壁，并排空槽内液体，将行走滚轮浸入纯水中，且纯水的体积为清洗槽总容积的1/20-1/5，加入清洗剂，且加入量占槽内液体总质量的0.5％-1.5％，再将清洗槽注满纯水，在30-50℃下浸泡1-60min；以质量份数计，所述清洗剂的组成为：

所述泡沫剂包括十二烷基硫酸钠和/或脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠；

(2)排空槽内液体，用纯水冲洗步骤(1)所得行走滚轮，浸入双氧水溶液中，在50-60℃下浸泡1-60min；所述双氧水溶液中双氧水与去离子水的体积比为1:(5-15)；

(3)排空槽内液体，用纯水冲洗步骤(2)所得行走滚轮，浸入混酸溶液中，在20-30℃下浸泡60-120min；所述混酸溶液中的酸种类为氢氟酸和盐酸，且氢氟酸、盐酸与去离子水的体积比为(0.3-5):(0.3-5):25；

(4)排空槽内液体，将步骤(3)所得行走滚轮浸入纯水中，在20-30℃下浸泡40-80min；

(5)排空槽内液体，用纯水冲洗步骤(4)所得行走滚轮，利用氮气枪吹干表面水分，在50℃以下烘干1-30min，得到清洗后的行走滚轮；

其中，所述纯水具体为含盐量≤1mg/L的纯水；所述清洗槽为耐酸碱腐蚀的槽体，且设置有槽盖与加热系统。