[发明专利]X射线检测器在审
| 申请号： | 202111373631.4 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114518588A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | G·加西奥特;S·特洛徐特;O·勒内尔;V·马勒布 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 黄海鸣 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射线 检测器 | ||
本公开的各实施例涉及一种X射线检测器，包括具有NPN型双极晶体管的第一电路以及第二电路，第二电路被配置成将NPN型双极晶体管的端子处的电压与参考值进行比较，所述参考值基本等于当第一电路已经暴露于阈值量的X射线时会出现的端子电压的值。
本申请要求于2020年11月20日提交的第2011963号法国专利申请的优先权，该申请在法律允许的最大范围内通过引用并入本文。
技术领域
本说明总体上涉及电子设备，并且更具体地涉及包括X射线检测电路的设备。
背景技术
X射线是高频电磁辐射的形式，由具有从几百eV(电子伏特)到几MeV的能量变化的光子形成。
X射线可能对电子设备的操作具有负面影响。为此，电子设备制造商通常建议不让设备例如蜂窝电话经受大量的X射线。这些电子设备的保修通常不包括由X射线引起的损坏。需要检测X射线对设备的施加。
发明内容
实施例克服了已知X射线检测器的缺点中的全部或部分。
实施例提供了一种X射线检测器，包括：第一电子电路，包括第一NPN型双极晶体管；以及第二电路，被配置成将第一电子电路的电压与参考值进行比较，该参考值基本等于当第一电子电路已经接收到阈值量的X射线时会出现的电压的值。
另一实施例提供了一种X射线检测方法，包括将包括第一NPN型双极晶体管的第一电子电路的电压与参考值进行比较，参考值基本等于当第一电子电路已经接收到阈值量的X射线时会出现的电压的值。
根据实施例，所述电压是第一NPN型双极晶体管的端子中的一个端子上的电压。
根据实施例，所述电压是第一NPN型双极晶体管的发射极上的电压。
根据实施例，所述电压在X射线不存在的情况下在设备的操作期间基本恒定。
根据实施例，X射线的阈值量是10戈瑞。
根据实施例，第一电路被配置成使得在检测器的操作期间，第一NPN型双极晶体管的基极上的电压处于值的范围内，对于所述值的范围，未接收到X射线的第一NPN型双极晶体管与接收到阈值量的X射线的第一NPN型双极晶体管之间的增益差大于10。
根据实施例，第一电路被配置成使得在检测器的操作期间，第一NPN型双极晶体管的基极电压处于值的范围内，对于所述值的范围，未接收到X射线的第一NPN型双极晶体管的增益是接收到阈值量的X射线的第一NPN型双极晶体管的增益的至少1.5倍大。
根据实施例，第一电路包括两个分支，第一分支包括串联耦接的第一晶体管和第一NPN型双极晶体管，并且第二分支包括串联耦接的第二晶体管和第二NPN型双极晶体管，第一晶体管和第二晶体管耦接为电流镜，使得穿过第一NPN型双极晶体管和第二NPN型双极晶体管的电流基本相等。
根据实施例，第一NPN型双极晶体管和第二NPN型双极晶体管的基极通过电阻器耦接。
根据实施例，第一NPN型双极晶体管和第二NPN型双极晶体管中的每个NPN型双极晶体管的基极通过电阻器耦接到参考电压的施加节点。
根据实施例，第二NPN型双极晶体管的集电极耦接到第一NPN型双极晶体管的基极。
根据实施例，检测器包括用于生成参考值的电路，该电路包括与至少一个电阻器和至少一个电容器串联的第三晶体管。
根据实施例，第三晶体管作为电流镜与第一晶体管和第二晶体管中的至少一个晶体管耦接。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司，未经意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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