[发明专利]X射线检测器

权利要求书

1.一种X射线检测器，包括：

第一电路，包括第一NPN型双极晶体管；以及

第二电路，被配置成将所述第一电路的电压与参考值进行比较，所述参考值基本等于当所述第一电路已经接收到阈值量的X射线时会出现的所述电压的值。

2.根据权利要求1所述的检测器，其中，所述电压是所述第一NPN型双极晶体管的端子中的一个端子处的电压。

3.根据权利要求2所述的检测器，其中，所述端子中的所述一个端子是所述第一NPN型双极晶体管的发射极。

4.根据权利要求1所述的检测器，其中，所述电压在X射线不存在的情况下在所述设备的操作期间基本恒定。

5.根据权利要求1所述的检测器，其中，X射线的所述阈值量是10戈瑞。

6.根据权利要求1所述的检测器，其中，所述第一电路被配置成使得在所述检测器的操作期间，所述第一NPN型双极晶体管的基极上的电压处于值的范围内，对于所述值的范围，未接收到X射线的所述第一NPN型双极晶体管与接收到所述阈值量的X射线的所述第一NPN型双极晶体管之间的增益差大于10。

7.根据权利要求1所述的检测器，其中，所述第一电路被配置成使得在所述检测器的操作期间，所述第一NPN型双极晶体管的基极电压处于值的范围内，对于所述值的范围，未接收到X射线的所述第一NPN型双极晶体管的增益是接收到所述阈值量的X射线的所述第一NPN型双极晶体管的增益的至少1.5倍大。

8.根据权利要求1所述的检测器，其中，所述第一电路包括两个分支，第一分支包括串联耦接的第一晶体管和第一NPN型双极晶体管，并且第二分支包括串联耦接的第二晶体管和第二NPN型双极晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管耦接为电流镜，使得流过所述第一NPN型双极晶体管和所述第二NPN型双极晶体管的电流基本相等。

9.根据权利要求8所述的检测器，其中，所述第一NPN型双极晶体管和所述第二NPN型双极晶体管的基极通过电阻器耦接。

10.根据权利要求9所述的检测器，其中，所述第一NPN型双极晶体管和所述第二NPN型双极晶体管中的每个NPN型双极晶体管的基极通过电阻器耦接到参考电压的施加节点。

11.根据权利要求8所述的检测器，其中，所述第二NPN型双极晶体管的集电极通过单位增益放大器电路耦接到所述第一NPN型双极晶体管的所述基极。

12.根据权利要求1所述的检测器，还包括电压发生器电路，所述电压发生器电路被配置成生成所述参考值，所述电压发生器电路包括与至少一个电阻器和至少一个电容器串联的第三晶体管。

13.根据权利要求12所述的检测器，其中，所述第三晶体管作为电流镜与所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个晶体管耦接。

14.一种X射线检测器方法，包括：

将包括第一NPN型双极晶体管的第一电子电路的电压与参考值进行比较；

其中，所述参考值基本等于当所述第一电子电路已经接收到阈值量的X射线时会出现的所述电压的值；以及

如果满足所述比较，则生成指示X射线曝光的输出信号。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述电压是所述第一NPN型双极晶体管的端子中的一个端子上的电压。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述端子中的一个端子是所述第一NPN型双极晶体管的发射极。