[发明专利]一种低功耗高精度电压检测电路

说明书

本发明属于电压检测技术领域，具体的说是涉及一种低功耗高精度电压检测电路。现有技术里面的电压检测电路，要实现高精度需要基准电路，采样电路，比较电路，这会增加电路的设计负载程度，增加面积，同时会增加功耗，不适用于低成本，低功耗应用。本发明采用与电压，工艺，温度无关的电压判断电路，结合采样电路可以直接实现对电压的检测，并同时节省功耗。

技术领域

本发明属于电压检测技术领域，具体的说是涉及一种低功耗高精度电压检测电路。

背景技术

要实现高精度电压检测电路，需要克服工艺，温度相关因素的影响，现在CMOS工艺中高精度对电压判断电路结构如图1所示，需要先产生一个与工艺，电压，温度无关的基准电路，然后基准和电压采样电路作为比较器的输入，对电压进行判断，该电路并不适用于低功耗，低成本场景。

发明内容

本发明针对上述问题，提出了一种低功耗高精度电压检测电路。

本发明的技术方案是：

一种低功耗高精度电压检测电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管Q0、第二三极管Q1、第一MOS管M0、第二MOS管M1、第三MOS管M2、第四MOS管M3、第五MOS管M4、第六MOS管M5、第七MOS管M6、第八MOS管M7和跨阻放大器；其中，输入电压依次通过第一电阻和第二电阻后接地；第一三极管Q0和第二三极管Q1的基极接第一电阻和第二电阻的连接点，第二三极管Q1的集电极接第七MOS管M6的漏极，第二三极管Q1的发射极通过第四电阻后接地，第一三极管Q0的集电极接第六MOS管M5的漏极，第一三极管Q0的发射极依次通过第三电阻和第四电阻后接地；第七MOS管M6的源极接电源，其栅极和漏极互连，第八MOS管M7的源极接电源，其栅极接第七MOS管M6的漏极，第八MOS管M7的漏极接第一MOS管M0的漏极，第一MOS管M0的栅极和漏极互连，其源极接地；第六MOS管M5的源极接电源，其栅极和漏极互连，第五MOS管M4的源极接电源，其栅极接第六MOS管M5的漏极，第五MOS管M4的漏极接第二MOS管M1的漏极和第三MOS管M2的栅极；第二MOS管M1的栅极接第八MOS管M7的漏极，其源极接地，第三MOS管M2的漏极接第四MOS管M3的漏极，第三MOS管M2的源极接地；第四MOS管M3的源极接电源，其栅极接第六MOS管M5的漏极；第三MOS管M2和第四MOS管M3的连接点接跨阻放大器的输入端，跨阻放大器的输出端为检测电路的输出端，输出检测电压。

进一步的，还包括第九MOS管M8、第十MOS管M9、第十一MOS管M10、第十二MOS管M11、第十三MOS管M12和第三三极管Q2；其中，第九MOS管M8的源极接电源，其栅极接第八MOS管M7的漏极，第五MOS管M4的漏极接第三三极管Q2的集电极；第三三极管Q2的集电极还接第十MOS管M9的漏极和第十一MOS管M10的栅极，第三三极管Q2的基极接第十一MOS管M10的源极，第三三极管Q2的发射极接地；第十MOS管M9的源极接电源，其栅极接第八MOS管M7的漏极，第十一MOS管M10的漏极接第十二MOS管M11的漏极；第十二MOS管M11的源极接电源，其栅极和漏极互连；第十三MOS管M12的源极接电源，其栅极接第十二MOS管M11的漏极，第十三MOS管M12的漏极接第一电阻和第二电阻的连接点。

本发明的有益效果是：本发明采用与电压，工艺，温度无关的电压判断电路，结合采样电路可以直接实现对电压的检测，并同时节省功耗。

附图说明

图1为传统电压判断电路。

图2为本发明的电压检测电路原理示意图。

图3为在图2的基础上增加带基极电流补偿后的电压检测电路原理示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行详细的描述。