[发明专利]一种低功耗高精度电压检测电路有效
| 申请号: | 202111370936.X | 申请日: | 2021-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN114062765B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
| 发明(设计)人: | 王磊 | 申请(专利权)人: | 上海南芯半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
| 代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
| 地址: | 200120 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功耗 高精度 电压 检测 电路 | ||
1.一种低功耗高精度电压检测电路,其特征在于,包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管Q0、第二三极管Q1、第一MOS管M0、第二MOS管M1、第三MOS管M2、第四MOS管M3、第五MOS管M4、第六MOS管M5、第七MOS管M6、第八MOS管M7和跨阻放大器;其中,输入电压依次通过第一电阻和第二电阻后接地;第一三极管Q0和第二三极管Q1的基极接第一电阻和第二电阻的连接点,第二三极管Q1的集电极接第七MOS管M6的漏极,第二三极管Q1的发射极通过第四电阻后接地,第一三极管Q0的集电极接第六MOS管M5的漏极,第一三极管Q0的发射极依次通过第三电阻和第四电阻后接地;第七MOS管M6的源极接电源,其栅极和漏极互连,第八MOS管M7的源极接电源,其栅极接第七MOS管M6的漏极,第八MOS管M7的漏极接第一MOS管M0的漏极,第一MOS管M0的栅极和漏极互连,其源极接地;第六MOS管M5的源极接电源,其栅极和漏极互连,第五MOS管M4的源极接电源,其栅极接第六MOS管M5的漏极,第五MOS管M4的漏极接第二MOS管M1的漏极和第三MOS管M2的栅极;第二MOS管M1的栅极接第八MOS管M7的漏极,其源极接地,第三MOS管M2的漏极接第四MOS管M3的漏极,第三MOS管M2的源极接地;第四MOS管M3的源极接电源,其栅极接第六MOS管M5的漏极;第三MOS管M2和第四MOS管M3的连接点接跨阻放大器的输入端,跨阻放大器的输出端为检测电路的输出端,输出检测电压。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗高精度电压检测电路,其特征在于,还包括第九MOS管M8、第十MOS管M9、第十一MOS管M10、第十二MOS管M11、第十三MOS管M12和第三三极管Q2;其中,第九MOS管M8的源极接电源,其栅极接第八MOS管M7的漏极,第五MOS管M4的漏极接第三三极管Q2的集电极;第三三极管Q2的集电极还接第十MOS管M9的漏极和第十一MOS管M10的栅极,第三三极管Q2的基极接第十一MOS管M10的源极,第三三极管Q2的发射极接地;第十MOS管M9的源极接电源,其栅极接第八MOS管M7的漏极,第十一MOS管M10的漏极接第十二MOS管M11的漏极;第十二MOS管M11的源极接电源,其栅极和漏极互连;第十三MOS管M12的源极接电源,其栅极接第十二MOS管M11的漏极,第十三MOS管M12的漏极接第一电阻和第二电阻的连接点。
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