[发明专利]一种超低离型力的无溶剂有机硅离型剂及其制备方法

权利要求书

1.一种超低离型力的有机硅离型剂，其特征在于：包括离型剂主剂组份、催化剂组份、交联剂组份和锚固剂组份；

所述离型剂主剂组份的制备方法，包括以下步骤：（1）制备低苯基含量的乙烯基聚硅氧烷：将八甲基环四硅氧烷100份、甲基苯基环硅氧烷0.15～1.4份、四甲基二乙烯基二硅氧烷1.4～2.0份、甲基乙烯基环四硅氧烷0～1.5份、四甲基氢氧化铵0.01～0.05份，在100～110℃条件下反应4～6小时，再升温至150～165℃， 20～40分钟后，再升温到170～180℃，保持真空度在0.085Mpa以上，脱除低分子6～12小时，冷却至50℃以下；（2）将低苯基含量的乙烯基聚硅氧烷100份和抑制剂0.01～0.2份混合均匀；

所述低苯基含量的乙烯基聚硅氧烷的结构式为：，其中Vi为乙烯基，Ph为苯基，Me为甲基，x，y，z均为自然数且60≤x≤350，0≤y≤2，1≤z≤4；

所述离型剂主剂组份的粘度为200～1000cs；苯基含量在0.1～0.8%；乙烯基含量在0.25～0.75%；

所述催化剂组份为铂含量3000～6000ppm的铂金属催化剂；

所述交联剂组份为氢基含量在0.8～1.6%氢基聚硅氧烷混合物；

所述锚固剂组份为带有含乙烯基或环氧基或酰氧基官能团的两种或多种烷氧基硅烷。

2.根据权利要求1所述的有机硅离型剂，其特征在于，按照重量份计包括离型剂主剂组份100份、催化剂组份为1.0～2.5份、交联剂组份为1.5～2.5份、锚固剂组份为0.8～1.2份。

3.根据权利要求1所述的有机硅离型剂，其特征在于，所述离型剂主剂组份的乙烯基含量采用不同乙烯基含量的低苯基含量的乙烯基聚硅氧烷混合，平均乙烯基含量为0.3～0.65%。

4.根据权利要求1所述的有机硅离型剂，其特征在于，所述锚固剂组份的结构式为：

，其中R₁为含有乙烯基或环氧基或酰氧基的烷基；R₂，R₃，R₄为烷氧基。

5.根据权利要求1所述的有机硅离型剂，其特征在于，所述抑制剂为甲基乙炔醇、甲基丁炔醇、乙炔基环己醇、苯基丁炔醇中的一种或多种组合。

6.根据权利要求1所述的有机硅离型剂，其特征在于，所述氢基聚硅氧烷的结构式为：，其中R₅，R₆为H或甲基；m，n均为自然数；其中30≤m≤70，0≤n≤4。

7.根据权利要求1所述的有机硅离型剂，其特征在于，所述氢基聚硅氧烷为两种或两种以上的氢基聚硅氧烷的混合物，混合后氢基含量为0.9～1.2%。

8.权利要求1-7任一所述的有机硅离型剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）制备低苯基含量的乙烯基聚硅氧烷：将100份的八甲基环四硅氧烷，0.15～1.4份的甲基苯基环硅氧烷、1.4～2.0份四甲基二乙烯基二硅氧烷、0～1.5份甲基乙烯基环四硅氧烷、0.02～0.04份四甲基氢氧化铵，在100～110℃条件下反应4～6小时，再升温至150～165℃， 20～40分钟后，再升温到170～180℃，保持真空度在0.085Mpa以上，脱除低分子6～12小时，即得低苯基含量的乙烯基聚硅氧烷；

2）制备离型剂主剂：将100份低苯基含量的乙烯基聚硅氧烷加入到反应釜中，再加入0.01～0.2份抑制剂，搅拌均匀，即为离型剂主剂组份；

3）离型剂的配制：在100份离型剂主剂中加入0～10份稀释剂，搅拌均匀；再依次在搅拌的条件下缓慢加入1.5～2.5交联剂组份，0.8～1.2份锚固剂组份和1.0～2.5份催化剂组份，全部加完后搅拌10～120min；

4）离型剂的固化：将已经配制好的离型剂涂覆在PET膜或PP膜上，涂覆厚度根据具体要求确定，再放入120℃烘箱中固化20秒或直接进入设置最高温度为130℃的烘道中固化10-20秒，收卷即得离型膜。