[发明专利]Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202111368606.7 申请日: 2021-11-18
公开(公告)号: CN113956297A 公开(公告)日: 2022-01-21
发明(设计)人: 陈磊;刘梦瑶;程志杰;田双琴;蔡星伟;袁爱华 申请(专利权)人: 江苏科技大学
主分类号: C07F15/06 分类号: C07F15/06;H01F1/42
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 余俊杰
地址: 212100 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: co iii ii 双核钴单 分子 磁体 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体,其特征在于,所述单分子磁体的化学式为[CoIIICoII(L)(DMAP)3(CH3COO)],其中H4L为N,N’-双(5-甲基吡唑-3-甲酰)-1,3-丙二胺,结构为:

DMAP为4-二甲氨基吡啶,其结构为:

2.根据权利要求1所述的Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体,其特征在于,所述单分子磁体的化学结构式为:

3.根据权利要求1所述的Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体,其特征在于,所述单分子磁体的结构单位为:晶体属于三斜晶系,P-1空间群,晶胞参数为α=71.337(12)°,β=86.676(12)°,γ=71.710(13)°。

4.根据权利要求1所述的Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体,其特征在于,所述磁性离子Co(II)与一个配体L提供的两个氮原子、一个DMAP提供的一个氮原子以及醋酸根提供的一个氧原子配位,形成了四配位的四面体结构;抗磁性离子Co(III)与一个配体L提供的四个氮原子以及两个DMAP提供的两个氮原子配位,形成了六配位的八面体结构。

5.根据权利要求1所述的Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体,其特征在于,所述单分子磁体为紫色块状晶体,在外加磁场作用下表现出典型的慢磁弛豫过程。

6.权利要求1-5任一所述Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:将3-甲基吡唑-5-甲酸乙酯溶于1,3-丙二胺中,120℃下加热回流14h,得到白色固体,用甲醇、乙醚依次洗涤三次,真空干燥,得到H4L;将四水合醋酸钴CoAc2·4H2O,4-二甲氨基吡啶DMAP和H4L溶于甲醇溶液中,在70℃下加热回流2h,冷却后,向其中缓慢加入乙醚进行两相扩散,即得。

7.根据权利要求6所述的Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体的制备方法,其特征在于,所述的3-甲基吡唑-5-甲酸乙酯和1,3-丙二胺的摩尔比为2:1,CoAc2·4H2O与DMAP和H4L的摩尔比为2:3~4:1~1.5。

8.根据权利要求6所述的Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体的制备方法,其特征在于,每1mmol的CoAc2·4H2O对应10~15mL的甲醇,乙醚的用量为甲醇的2~4倍。

9.根据权利要求6所述的Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体的制备方法,其特征在于,所述的两相扩散时间为2~5天。

10.权利要求1-5任一所述Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体在制备分子基磁性材料中的应用。

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