[发明专利]一种半导体激光器系统在审

专利信息
申请号: 202111365519.6 申请日: 2021-11-17
公开(公告)号: CN114024206A 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 朱晓鹏;陈武辉;赵志英 申请(专利权)人: 北京大族天成半导体技术有限公司
主分类号: H01S5/02251 分类号: H01S5/02251;H01S5/02253;H01S5/026
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 王娜
地址: 100176 北京市大兴区经*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体激光器 系统
【说明书】:

发明提供一种半导体激光器系统,包括:半导体激光器芯片,所述半导体激光器芯片适于发射线偏振光;聚焦耦合透镜单元;光阑,所述光阑位于所述聚焦耦合透镜单元和所述半导体激光器芯片之间;光束退偏单元,所述光束退偏单元位于所述聚焦耦合透镜单元背向所述光阑的一侧。所述光束退偏单元能够退化激光模式,使进入光束退偏单元的线偏振光退化为非偏振光或者部分偏振光,从而增大反馈光的发散角,通过光阑即可截止部分反馈光,达到衰减反馈光能量的目的,在提高抗反馈光损伤的能力的同时具有结构简单,空间占用率低,成本低廉,易于生产的优点。

技术领域

本发明涉及半导体激光器技术领域,具体涉及一种半导体激光器系统。

背景技术

半导体激光器材料加工中,当高能激光束照射到对激光吸收率较低的材料或是表面光洁度较高的材料时,工件会反射大量激光能量,部分反射光会沿原光路回射到半导体激光发光芯片。由于激光束的功率密度很高,回射到半导体激光发光芯片的反射光短时间内会产生大量的热能,引发性能的不稳定性,甚至导致半导体激光发光芯片的损坏,使得激光器功率下降,严重时将会彻底损坏半导体激光器。为了保证半导体激光器正常工作,提高半导体激光器的工作稳定性和寿命,就需要提高半导体激光器抗反射光损伤的能力。目前半导体激光器防止反射光损伤的装置,主要是光隔离器,结构由两个起偏器和一个法拉第磁旋光元件构成,对反射光的隔离效果较好,但是光隔离器的结构复杂,体积较大,成本较高。

发明内容

因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中半导体激光器系统在提高抗反馈光损伤的能力的同时无法兼顾结构简单、体积小和成本低的问题,进而提供一种半导体激光器系统。

本发明提供一种半导体激光器系统,包括:半导体激光器芯片,所述半导体激光器芯片适于发射线偏振光;聚焦耦合透镜单元;光阑,所述光阑位于所述聚焦耦合透镜单元和所述半导体激光器芯片之间;光束退偏单元,所述光束退偏单元位于所述聚焦耦合透镜单元背向所述光阑的一侧。

可选的,所述光束退偏单元为长度范围1m~30m的光纤。

可选的,所述光纤包括第一传输区、第二传输区和第三传输区,所述第二传输区的一端与所述第一传输区连接,所述第二传输区的另一端与所述第三传输区连接,所述第二传输区盘绕一圈或者若干圈。

可选的,所述第二传输区的各圈的半径相等。

可选的,所述第二传输区的各圈的半径小于或等于所述光纤的直径的200倍。

可选的,还包括分光单元,所述分光单元设置在所述半导体激光器芯片与所述光阑之间,所述分光单元将自所述光阑反馈至所述分光单元的光分离并出射主反馈光束和副反馈光束,所述主反馈光束的传输路径与自所述半导体激光器芯片出射至分光单元的光路重合,所述副反馈光束的传输路径与自所述半导体激光器芯片出射至分光单元的光路不重合。

可选的,所述分光单元包括双折射晶体、偏振片或偏振分光棱镜。

可选的,所述半导体激光器系统还包括光路监测单元,所述光路监测单元设置在所述副反馈光束的路径上;所述光路监测单元适于监测所述副反馈光束的光强度。

可选的,所述光阑包括通光孔径可调谐的光阑或固定通光孔径的光阑。

可选的,所述半导体激光器系统还包括整形单元,所述整形单元设置在所述半导体激光器芯片与所述分光单元之间,所述整形单元适于将所述半导体激光器芯片输出的激光在快轴和慢轴方向进行准直。

本发明技术方案,具有如下优点:

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