[发明专利]一种半导体激光器系统在审
申请号: | 202111365519.6 | 申请日: | 2021-11-17 |
公开(公告)号: | CN114024206A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 朱晓鹏;陈武辉;赵志英 | 申请(专利权)人: | 北京大族天成半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01S5/02251 | 分类号: | H01S5/02251;H01S5/02253;H01S5/026 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 王娜 |
地址: | 100176 北京市大兴区经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体激光器 系统 | ||
1.一种半导体激光器系统,其特征在于,包括:
半导体激光器芯片,所述半导体激光器芯片适于发射线偏振光;
聚焦耦合透镜单元;
光阑,所述光阑位于所述聚焦耦合透镜单元和所述半导体激光器芯片之间;
光束退偏单元,所述光束退偏单元位于所述聚焦耦合透镜单元背向所述光阑的一侧。
2.如权利要求1所述的半导体激光器系统,其特征在于,所述光束退偏单元为长度范围1m~30m的光纤。
3.如权利要求2所述的半导体激光器系统,其特征在于,所述光纤包括第一传输区、第二传输区和第三传输区,所述第二传输区的一端与所述第一传输区连接,所述第二传输区的另一端与所述第三传输区连接,所述第二传输区盘绕一圈或者若干圈。
4.如权利要求3所述的半导体激光器系统,其特征在于,所述第二传输区的各圈的半径相等。
5.如权利要求3或4所述的半导体激光器系统,其特征在于,所述第二传输区的各圈的半径小于或等于所述光纤的直径的200倍。
6.如权利要求1所述的半导体激光器系统,其特征在于,还包括分光单元,所述分光单元设置在所述半导体激光器芯片与所述光阑之间,所述分光单元将自所述光阑反馈至所述分光单元的光分离并出射主反馈光束和副反馈光束,所述主反馈光束的传输路径与自所述半导体激光器芯片出射至分光单元的光路重合,所述副反馈光束的传输路径与自所述半导体激光器芯片出射至分光单元的光路不重合。
7.如权利要求6所述的半导体激光器系统,其特征在于,所述分光单元包括双折射晶体、偏振片或偏振分光棱镜。
8.如权利要求6所述的半导体激光器系统,其特征在于,所述半导体激光器系统还包括光路监测单元,所述光路监测单元设置在所述副反馈光束的路径上;所述光路监测单元适于监测所述副反馈光束的光强度。
9.如权利要求1所述的半导体激光器系统,其特征在于,所述光阑包括通光孔径可调谐的光阑或固定通光孔径的光阑。
10.如权利要求9所述的半导体激光器系统,其特征在于,所述半导体激光器系统还包括整形单元,所述整形单元设置在所述半导体激光器芯片与所述分光单元之间,所述整形单元适于将所述半导体激光器芯片输出的激光在快轴和慢轴方向进行准直。
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