[发明专利]电子装置

说明书

电子装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、表面状态补偿层以及低k介电层。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比第一氮化物半导体层的带隙更大。表面状态补偿层直接安置在第二氮化物半导体层上。低k介电层安置在表面状态补偿层上，并与表面状态补偿层接触，其中低k介电层包括碳。

本申请是2020年7月8日提交的题为“电子装置和其制造方法”的中国专利申请202080003294.7的分案申请。

技术领域

本公开涉及半导体装置，且特定来说，涉及包含高电子迁移率晶体管(HEMT)的半导体装置。

背景技术

包含直接带隙的半导体组件，举例来说，包含III-V族材料或III-V族化合物的半导体组件可由于其特性而在各种条件或环境(例如，不同电压或频率)下操作或工作。

前述半导体组件可包含HEMT、异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)或调制掺杂场效应晶体管(MODFET)。

发明内容

本公开的一些实施例提供一种电子装置。所述电子装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、表面状态补偿层以及低k介电层。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比第一氮化物半导体层的带隙更大。表面状态补偿层直接安置在第二氮化物半导体层上。低k介电层安置在表面状态补偿层上，并与表面状态补偿层接触，其中低k介电层包括碳。

本公开的一些实施例提供一种电子装置。所述电子装置包括沟道层、势垒层、多层钝化层以及晶体管。势垒层安置在沟道层上，且具有的带隙比沟道层的带隙更大，从而在邻近于沟道层与势垒层之间的界面处形成二维电子气体。多层钝化层安置在势垒层上，并接触势垒层，其用以减小势垒层的表面状态密度。晶体管安置在势垒层上,并利用二维电子气体作为载流子沟道，其中晶体管包括源极电极、漏极电极以及栅极电极，且源极电极、漏极电极以及栅极电极在多层钝化层中纵向延伸。

附图说明

根据参考附图进行的以下详细描述，本公开的各方面将变得更可理解。应注意，各个特征可以不按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1A说明根据本公开的一些实施例的电子装置的横截面图。

图1B说明根据本公开的一些实施例的电子装置的电容。

图2说明根据本公开的一些实施例的电子装置的横截面图。

图3说明根据本公开的一些比较实施例的电子装置的横截面图。

图4A说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

图4B说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

图4C说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

图4D说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

图4E说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例。当然，这些描述仅仅是实例且并不意图为限制性的。在本公开中，在以下描述中，第一特征形成于第二特征上或上方的描述可包含第一特征和第二特征形成为直接接触的实施例，并且可进一步包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间以使第一特征与第二特征能够不直接接触的实施例。另外，在本公开中，可在实例中重复附图标记和/或字母。此重复是出于简化及清晰的目的，且并不指示所描述的各种实施例和/或配置之间的关系。