[发明专利]电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

第一氮化物半导体层；

第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比所述第一氮化物半导体层的带隙更大；

表面状态补偿层，其直接安置在所述第二氮化物半导体层上；以及

低k介电层，其安置在所述表面状态补偿层上，并与所述表面状态补偿层接触，其中所述低k介电层包括碳。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述表面状态补偿层以及所述低k介电层皆包括硅，且其各自包括不同的化合物。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中所述表面状态补偿层包括SiN。

4.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中所述低k介电层包括SiOCH。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述低k介电层包括以下群组中的至少一者：SiOF、氢倍半氧硅烷HSQ以及甲基倍半氧硅烷MSQ。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述低k介电层与所述表面状态补偿层相比，所述低k介电层具有较低的介电常数。

7.一种电子装置，其特征在于，包括：

沟道层；

势垒层，其安置在所述沟道层上，且具有的带隙比所述沟道层的带隙更大，从而在邻近于所述沟道层与所述势垒层之间的界面处形成二维电子气体；

多层钝化层，安置在所述势垒层上，并接触所述势垒层，其用以减小所述势垒层的表面状态密度；以及

晶体管，安置在所述势垒层上,并利用所述二维电子气体作为载流子沟道，其中所述晶体管包括源极电极、漏极电极以及栅极电极，且所述源极电极、所述漏极电极以及所述栅极电极在所述多层钝化层中纵向延伸。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，其中所述源极电极以及所述漏极电极的纵向延伸深度大于所述栅极电极的纵向延伸深度。

9.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，其中所述源极电极以及所述漏极电极贯穿所述多层钝化层中的表面状态补偿层，而所述栅极电极接触所述多层钝化层中的所述表面状态补偿层的上表面。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，其中所述多层钝化层中的所述表面状态补偿层接触所述栅极电极以及所述势垒层。

11.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，其中所述源极电极、所述漏极电极以及所述栅极电极贯穿所述多层钝化层中的低k介电层。

12.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，其中所述栅极电极的轮廓为T形电极，其异于所述源极电极以及所述漏极电极的轮廓。

13.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，其中所述源极电极以及所述漏极电极纵向延伸至比多层钝化层中的最底层的位置还低。

14.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，其中所述栅极电极相对所述势垒层的最大高度大于所述多层钝化层相对所述势垒层的最大高度。

15.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，其中所述栅极电极与所述多层钝化层的上表面的接触面积大于所述源极电极以及所述漏极电极各自与所述多层钝化层的所述上表面的接触面积。