[发明专利]一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术

说明书

本发明涉及光源封装技术领域，具体是一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，具体包括六大步骤。本发明工艺精良，效果突出，发光芯片采用呈圆形均匀分布于基板的发光面，使每颗发光芯片出光效果一致，大大提高了功率，有效的解决传统发光芯片分布稀疏容易出现暗点光斑的问题，将整条线路分成了4路，且都配备单独的驱动电源，每路独立工作，互补影响，即降低了对驱动的要求，也降低了成本，同时四个250W驱动相比较一个1000W驱动，性能更加稳定可靠，使用寿命更长，基板的结构极大的减少了芯片与基板的热阻，使材料整体导热系数高达50w/m.k，氮化铝的陶瓷绝缘体性能，又极大提高了材料的抗高压能力，大大提高了安全性能。

技术领域

本发明涉及光源封装技术领域，具体是一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术。

背景技术

光源封装是将多颗LED芯片集成封装在同一基板上的发光体。

目前市场现有产品，采用普通铝基板、镀银铜基板或者镜面铝基板，功率密度较低，在外形65cm*85cm上，不能做到足功率1500W，主要都在500W以内，功率密度过低，不能满足市场对亮度的需求，光效低，在70lm/w左右；且光源发光面因为芯片排列不规则，易出现暗斑及阴影区，传统1路或者2路驱动，在低功率时，部分芯片未能点亮，出现非常大的暗区区域，驱动电源功率过大，对电源要求高，显色指数低，Ra在95左右，不能满足照明场景对高显色指数的需求的要求。

因此，本领域技术人员提供了一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，以解决上述背景技术中提出的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，其特征在于，包括如下具体步骤：

S1：在基板的底部安装散热器；

S2：按照0.15-0.20mm的间距将发光芯片呈圆形均匀分布于基板的发光面，并通过固晶胶进行固晶，保证发光芯片排列均匀，点亮无暗区；

S3：采用焊线机将发光芯片与基板之间通过金线电气连接形成回路。

S4：在基板的正上方围上一层硅胶，形成闭环围坝；

S5：将荧光胶点在基板上，对发光芯片进行覆盖，确保无漏蓝光；

S6：在荧光胶面上覆盖一层蓝宝石玻璃片完成封装。

作为本发明更进一步的方案：S1中散热器的散热片均为错位排列的紫铜麒麟片，且散热片的表面涂覆有纳米级的石墨烯复合材料，能快速的将散热片内的热量，聚集于表面的复合材料上，错位排列的紫铜麒麟片，再通过散热器表面的风扇，保证每一片紫铜麒麟片的表面都有风吹过，最大程度将热量散到空气中，从而高效快速的降低了散热器的温度，进而大大降低了发光温度，增加发光芯片的使用寿命。

作为本发明更进一步的方案：所述基板采用正装基板或倒装基板：

正装基板：选择陶瓷氮化铝薄片，在陶瓷氮化铝薄片的两面上生长铜箔线路层，一面蚀刻线路，另一面通过金锡共晶粘合红铜底板，最后在蚀刻线路的一面涂覆纳米涂层的铝镜面；

倒装基板：选择陶瓷氮化铝薄片，在陶瓷氮化铝薄片的两面上生长铜箔线路层，一面蚀刻线路，另一面通过金锡共晶粘合紫铜底板，最后在蚀刻线路的一面铜箔上涂覆纳增白剂油墨。