[发明专利]一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术

权利要求书

1.一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，其特征在于，包括如下具体步骤：

S1：在基板的底部安装散热器；

S2：按照0.15-0.20mm的间距将发光芯片呈圆形均匀分布于基板的发光面，并通过固晶胶进行固晶，保证发光芯片排列均匀，点亮无暗区；

S3：采用焊线机将发光芯片与基板之间通过金线电气连接形成回路。

S4：在基板的正上方围上一层硅胶，形成闭环围坝；

S5：将荧光胶点在基板上，对发光芯片进行覆盖，确保无漏蓝光；

S6：在荧光胶面上覆盖一层蓝宝石玻璃片完成封装。

2.根据权利要求1所述的一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，其特征在于，S1中散热器的散热片均为错位排列的紫铜麒麟片，且散热片的表面涂覆有纳米级的石墨烯复合材料，能快速的将散热片内的热量，聚集于表面的复合材料上，错位排列的紫铜麒麟片，再通过散热器表面的风扇，保证每一片紫铜麒麟片的表面都有风吹过，最大程度将热量散到空气中。

3.根据权利要求1所述的一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，其特征在于，所述基板采用正装基板或倒装基板：

正装基板：选择陶瓷氮化铝薄片，在陶瓷氮化铝薄片的两面上生长铜箔线路层，一面蚀刻线路，另一面通过金锡共晶粘合红铜底板，最后在蚀刻线路的一面涂覆纳米涂层的铝镜面；

倒装基板：选择陶瓷氮化铝薄片，在陶瓷氮化铝薄片的两面上生长铜箔线路层，一面蚀刻线路，另一面通过金锡共晶粘合紫铜底板，最后在蚀刻线路的一面铜箔上涂覆纳增白剂油墨。

4.根据权利要求1所述的一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，其特征在于，S3中回路均分四路，每路的发光芯片数量相同，均匀分布在基板的发光区内，每一路采用单独的250W驱动电源。

5.根据权利要求1所述的一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，其特征在于，所述荧光胶由纳米荧光粉、增白扩散剂、K瓦级专用胶混合而成，三者的比例为3：1：2，且S5中的荧光胶采用半沉淀工艺封装。

6.根据权利要求5所述的一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，其特征在于，增白扩散剂由光扩散剂、荧光增白剂、树脂造粒研磨而成，其中光扩散剂、荧光增白剂、树脂的比例为1：1：3。