[发明专利]硅片方位调准装置及硅片缺陷检测设备有效
申请号: | 202111355514.5 | 申请日: | 2021-11-16 |
公开(公告)号: | CN113793826B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 曹岩;牛景豪 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67;H01L21/66;G01N21/95 |
代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 李斌栋;姚勇政 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 方位 调准 装置 缺陷 检测 设备 | ||
本发明实施例公开了一种用于对硅片的方位进行调准的调准装置及用于检测硅片的缺陷的设备,所述调准装置包括:承载驱动单元,所述承载驱动单元用于对所述硅片进行承载;定位单元,所述定位单元用于当所述硅片承载在所述承载驱动单元上时通过所述硅片的周缘边界确定所述硅片的实际方位;计算单元,所述计算单元用于计算所述实际方位相对于所述硅片的目标方位的偏移量;其中,所述承载驱动单元还用于根据所述偏移量驱动被承载的所述硅片从所述实际方位运动至所述目标方位。
技术领域
本发明涉及半导体硅片产生领域,尤其涉及一种用于对硅片的方位进行调准的调准装置及用于检测硅片的缺陷的设备。
背景技术
在半导体领域,硅片一般是集成电路的原料。通过对硅片进行光刻、离子注入等手段,可以制成各种半导体器件。硅片的表面缺陷对于后续的加工以及器件的性能有着极其重要的影响。表面缺陷的来源有很多,包括有在晶棒提拉过程中形成的如晶体原生缺陷、氧化诱生堆垛层错等,以及在线切割、抛光或清洗等硅片加工过程中引入的划伤,颗粒等,这些表面缺陷都会影响到硅片的良率。目前,集成电路特征线宽的不断减小要求硅片表面的缺陷尺寸更小,数目更低,硅片的表面缺陷成为衡量产品质量的一个关键因素。
目前,硅片表面缺陷主要通过颗粒检测机来进行检测。通常,为了研究分析某些缺陷的产生原因,需要匹配电子显微扫描仪来对其形貌特征和元素占比进行分析。为便于找到待测量的缺陷,需要颗粒检测机能够精确的定位到硅片上每一缺陷点的坐标位置,而缺陷的尺寸往往为纳米或微米级别,因此要求对硅片有高定位精度。
颗粒检测机的调准装置对硅片缺口位置的校准统一采用供应商提供的标准硅片进行。但现阶段,对于300mm硅片的尺寸要求业界并没有统一的标准,每家公司生产的硅片在直径、缺口大小等由于加工规格和加工误差的限制,导致各公司间、各批次产品以及各个硅片间的尺寸规格存在差异,这往往导致硅片的定位装置并不能精确确定其位置信息,由此导致多次定位甚至设备宕机,严重影响产能。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明实施例期望提供一种用于对硅片的方位进行调准的调准装置及用于检测硅片的缺陷的设备,能够实现对不同规格和尺寸的硅片进行精确定位。
本发明的技术方案是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种用于对硅片的方位进行调准的调准装置,所述调准装置包括:
承载驱动单元,所述承载驱动单元用于对所述硅片进行承载;
定位单元,所述定位单元用于当所述硅片承载在所述承载驱动单元上时通过所述硅片的周缘边界确定所述硅片的实际方位;
计算单元,所述计算单元用于计算所述实际方位相对于所述硅片的目标方位的偏移量;
其中,所述承载驱动单元还用于根据所述偏移量驱动被承载的所述硅片从所述实际方位运动至所述目标方位。
第二方面,本发明实施例提供了一种用于检测硅片的缺陷的设备,所述设备包括:
根据第一方面所述的调准装置;
检测装置,所述检测装置用于在所述硅片处于所述目标方位的情况下对所述硅片的缺陷进行检测,以根据所述目标方位获知检测出的缺陷在所述硅片中的分布位置。
本发明实施例提供了一种用于对硅片的方位进行调准的调准装置及用于检测硅片的缺陷的设备,对于每个硅片而言,都可以通过该硅片的周缘边界来对该硅片的实际方位进行确定,并且在确定过程中不会受到硅片直径、缺口大小等因素的影响,由此能够实现对硅片进行精确定位和调准,并且能够精确检测出表面缺陷的分布。
附图说明
图1为根据本发明的实施例的用于对硅片的方位进行调准的调准装置的示意图;
图2为根据本发明的实施例的定位单元的示意图;
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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