[发明专利]一种扇出型封装结构及封装方法在审
申请号: | 202111353781.9 | 申请日: | 2021-11-04 |
公开(公告)号: | CN114093772A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 陈彦亨;林正忠 | 申请(专利权)人: | 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/54;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/485;H01L23/498;H01L21/60 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扇出型 封装 结构 方法 | ||
本发明提供一种扇出型封装结构及封装方法,该封装结构包括第一重新布线层、第一底部填充胶层、电子组件、第一封装胶层、散热层、第二重新布线层、第二底部填充胶层及第二封装胶层,其中,电子组件包括至少一芯片或电子元件;第一封装胶层包裹第一底部填充胶层及电子组件的侧面,第二封装胶层包裹第一封装胶层、第二底部填充胶层及第一重新布线层的侧面。本发明的封装方法通过第一重新布线层及第一封装胶层将电子组件进行初步封装,并利用第二重新布线层代替传统的基板,通过第二重新布线层与第二封装胶层将初步封装的电子组件进行再次封装,提升了制程,缩短了制程时间,此外,本发明可实现器件的高密度集成,且可以同时封装多种电子元件及芯片。
技术领域
本发明属于集成电路制造领域,涉及一种扇出型封装结构及封装方法。
背景技术
电路板(Printed Circuit Board,简称PCB,也称作线路板)通常用于电子元器件的支撑体,也是电子元器件电连接的载体。基板作为电路板的基本材料,在电路板中批量应用的多为1~12层,如果嵌于电路板上的芯片I/O越多,则电路板上的基板层数就越多,相应的价格就越高,且基板制程也有一定极限,目前普通基板中线宽线距通常为50μm,最小只能达到20μm,随着芯片的功能及集成度的提高,基板将无法满足芯片的需求。
目前,为了解决基板制程限制的问题,2.5D和FO扇出型晶圆级先进封装技术被应用,但是这类封装技术的造价高,增加了成本,且相对于基板的制作来说制作时间较长。
因此,急需开发一种高精度和高密度制程、造价低廉、制作时间短的结构。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种扇出型封装结构及封装方法,用于解决现有技术中先进封装技术造价高,基板制程无法满足芯片的需求的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种封装方法,包括以下步骤:
提供一第一承载基板,所述第一承载基板包括相对设置的第一表面与第二表面,于所述第一承载基板的第一表面形成一第一粘附层,于所述第一粘附层背离所述第一承载基板的一面形成第一重新布线层,所述第一重新布线层包括至少一层介质层及至少一层导电互连层;
提供一电子组件,所述电子组件包括至少一芯片或电子元件,将所述电子组件与所述第一重新布线层电连接,并于所述电子组件与所述重新布线层之间形成第一底部填充胶层,形成覆盖所述电子组件的第一封装胶层于所述第一重新布线层背离所述第一承载基板的一面,去除所述第一承载基板及所述第一粘附层;
形成第一导电凸块于所述第一重新布线层的背离所述电子组件的一面;
提供一第二承载基板,所述第二承载基板包括相对设置的第一表面与第二表面,于所述第二承载基板的第一表面形成一第二粘附层,于所述第二粘附层背离所述第二承载基板的一面形成第二重新布线层,所述第二重新布线层至少一层介质层及至少一层导电互连层,并于所述第二重新布线层的背离所述第二承载基板的一面形成第一焊盘;
将所述第一导电凸块与所述第一焊盘电连接,并于所述第一重新布线层与所述第二重新布线层之间形成第二填充胶层;
形成覆盖所述电子组件及所述第一封装胶层的第二封装胶层,并去除所述第二承载基板及所述第二粘附层;
形成凸块下金属层于所述第二重新布线层的背离所述第一重新布线层的一面,并形成与所述凸块下金属层电连接的第二导电凸块;
形成散热层于所述电子组件、所述第一封装胶层及所述第二封装胶层的背离所述第二重新布线层的一面。
可选地,在将所述电子组件与所述第一重新布线层电连接之前,形成第三导电凸块于所述第一重新布线层背离所述第一承载基板的一面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造