[发明专利]一种扇出型封装结构及封装方法在审
申请号: | 202111353781.9 | 申请日: | 2021-11-04 |
公开(公告)号: | CN114093772A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 陈彦亨;林正忠 | 申请(专利权)人: | 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/54;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/485;H01L23/498;H01L21/60 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扇出型 封装 结构 方法 | ||
1.一种封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一第一承载基板,所述第一承载基板包括相对设置的第一表面与第二表面,于所述第一承载基板的第一表面形成一第一粘附层,于所述第一粘附层背离所述第一承载基板的一面形成第一重新布线层,所述第一重新布线层包括至少一层介质层及至少一层导电互连层;
提供一电子组件,所述电子组件包括至少一芯片或电子元件,将所述电子组件与所述第一重新布线层电连接,并于所述电子组件与所述重新布线层之间形成第一底部填充胶层,形成覆盖所述电子组件的第一封装胶层于所述第一重新布线层背离所述第一承载基板的一面,去除所述第一承载基板及所述第一粘附层;
形成第一导电凸块于所述第一重新布线层的背离所述电子组件的一面;
提供一第二承载基板,所述第二承载基板包括相对设置的第一表面与第二表面,于所述第二承载基板的第一表面形成一第二粘附层,于所述第二粘附层背离所述第二承载基板的一面形成第二重新布线层,所述第二重新布线层至少一层介质层及至少一层导电互连层,并于所述第二重新布线层的背离所述第二承载基板的一面形成第一焊盘;
将所述第一导电凸块与所述第一焊盘电连接,并于所述第一重新布线层与所述第二重新布线层之间形成第二底部填充胶层;
形成覆盖所述电子组件及所述第一封装胶层的第二封装胶层,并去除所述第二承载基板及所述第二粘附层;
形成凸块下金属层于所述第二重新布线层的背离所述第一重新布线层的一面,并形成与所述凸块下金属层电连接的第二导电凸块;
形成散热层于所述电子组件、所述第一封装胶层及所述第二封装胶层的背离所述第二重新布线层的一面。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于:在将所述电子组件与所述第一重新布线层电连接之前,形成第三导电凸块于所述第一重新布线层背离所述第一承载基板的一面。
3.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于:所述电子组件面向所述第一重新布线层的一面设有电极及与电极电连接的第二焊盘,采用倒装焊的方法将所述第二焊盘与所述第三导电凸块电连接。
4.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于:于形成覆盖所述电子组件的所述第一封装胶层之后,减薄所述第一封装胶层以显露出所述电子组件背离所述第一承载基板的一面。
5.根据权利要求4所述的封装方法,其特征在于,于减薄所述第一封装胶层之后,形成所述第一导电凸块于所述第一重新布线层的背离所述电子组件的一面之前,还包括以下步骤:
提供一第三承载基板,并于所述第三承载基板的一面形成第三粘附层;
将所述电子组件及所述第一封装胶层背离所述第一重新布线层的一面通过所述第三粘附层键合于所述第三承载基板上。
6.根据权利要求5所述的封装方法,其特征在于,将所述第一导电凸块与所述第一焊盘电连接之前,还包括以下步骤:去除所述第三承载基板及所述第三粘附层。
7.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,在形成覆盖所述电子组件及所述第一封装胶层的第二封装胶层之后,去除所述第二承载基板及所述第二粘附层之前,还包括以下步骤:减薄所述第二封装胶层以显露出所述电子组件背离所述第二承载基板的一面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造