[发明专利]一种透明介质薄层的缺陷检测方法和装置在审
| 申请号： | 202111351400.3 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114184624A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 孙栋;宋鲁明;周贤建;林洪沂;穆瑞珍 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院;瑞之路（厦门）眼镜科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/958 | 分类号： | G01N21/958 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 透明 介质 薄层 缺陷 检测 方法 装置 | ||
1.一种透明介质薄层的缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，提供一入射光，使该入射光以全反射角或大于全反射角入射至待测透明介质薄层的表面；
S2，探测待测透明介质薄层是否有对应于该入射光的漫散射光出射，若有，则待测透明介质薄层存在缺陷。
2.根据权利要求1所述的透明介质薄层的缺陷检测方法，其特征在于：步骤S1中，入射光为准直光。
3.根据权利要求2所述的透明介质薄层的缺陷检测方法，其特征在于：步骤S1中，入射光为白光。
4.根据权利要求3所述的透明介质薄层的缺陷检测方法，其特征在于：步骤S1中，采用LED光源或激光驱动光源提供入射光。
5.根据权利要求1所述的透明介质薄层的缺陷检测方法，其特征在：在步骤S2中，采用光电探测器探测待测透明介质薄层是否有对应于该入射光的漫散射光出射。
6.根据权利要求5所述的透明介质薄层的缺陷检测方法，其特征在于：所述光电探测器为CCD光电探测器或CMOS光电探测器。
7.根据权利要求5所述的透明介质薄层的缺陷检测方法，其特征在于：将光电探测器设置在待测透明介质薄层的表面外侧。
8.根据权利要求1所述的透明介质薄层的缺陷检测方法，其特征在于：步骤S1中，还提供一透光的耦合件，耦合件的折射率大于待测透明介质薄层的折射率，耦合件贴附在待测透明介质薄层的表面上，入射光从耦合件以全反射角或大于全反射角入射至待测透明介质薄层的表面。
9.根据权利要求8所述的透明介质薄层的缺陷检测方法，其特征在于：所述耦合件采用透明材料制成。
10.一种透明介质薄层的缺陷检测装置，其特征在于：用于实现权利要求1-9任意一项所述的缺陷检测方法。
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