[发明专利]电子装置与重布线层结构在审
| 申请号： | 202111350591.1 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114639650A | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 周鸿昇;廖文祥;范国荣;叶恒伸;王程麒 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋兴;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 装置 布线 结构 | ||
1.一种重布线层结构，其特征在于，包括：
第一金属层；
第一介电层设置于所述第一金属层上；
第二金属层设置于所述第一介电层上；以及
第二介电层设置于所述第二金属层上，
其中所述第一介电层的热膨胀系数小于所述第二介电层的热膨胀系数。
2.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一介电层的厚度大于所述第二介电层的厚度。
3.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一介电层的厚度为11微米至19微米。
4.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一介电层的杨氏模数为3GPa至5GPa。
5.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一介电层的热膨胀系数为20ppm/℃至40ppm/℃。
6.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第二介电层的厚度为9微米至11微米。
7.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一金属层的厚度为4微米至13微米。
8.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一金属层的杨氏模数为90GPa至120GPa。
9.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一金属层的热膨胀系数为16ppm/℃至20ppm/℃。
10.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，还包括：
第三金属层设置于所述第二介电层上；
第三介电层设置于所述第三金属层上；
第四金属层设置于所述第三介电层上；以及
第四介电层设置于所述第四金属层上，
其中所述第二介电层的热膨胀系数小于所述第三介电层的热膨胀系数。
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