[发明专利]用于存储器模块的篡改检测和保护的技术

说明书

本公开涉及用于存储器模块的篡改检测和保护的技术。公开了用于通过驻留在印刷电路板(PCB)上的控制器的电路对具有也驻留在PCB上的非易失性存储器设备的存储器模块进行篡改检测的技术。示例包括：在所述存储器模块的第一次启动和第二次启动之后，确定使用导电墨在盖的面向非易失性存储器设备的一侧上喷涂的字符图案的电阻值；以及基于所述电阻值的比较，断言寄存器的位以指示对存储器模块的篡改。可以基于对篡改的检测来发起篡改策略动作。

技术领域

本文中描述的示例一般来说涉及用于诸如双列直插式存储器模块(dual in-linememory module,DIMM)之类的存储器模块的篡改检测和保护的技术。

背景技术

双列直插式存储器模块(DIMM)通常部署在计算平台(例如，服务器)中来提供系统存储器。一些类型的DIMM被设计成包括永久类型的存储器，该永久类型的存储器包括能够在断电之后维持数据状态的非易失性存储器设备或管芯。与仅包括易失性存储器设备的非永久性DIMM相比，在断电之后维持数据状态的DIMM可能会对数据造成更大的安全风险。例如，非永久性DIMM在断电时会丢失数据状态，并且在从计算平台移除时，对数据结果几乎不造成或不造成安全风险。然而，在永久性DIMM断电之后，数据状态不会丢失，并且DIMM可能会从计算平台中移除，并且可能会尝试从非易失性存储器设备中提取数据。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种装置，包括：控制器，驻留在存储器模块的印刷电路板(PCB)上，所述控制器包括电路用于：响应于所述存储器模块的第一次启动，确定在散热器盖的一侧上喷涂的字符图案的第一电阻值，所述一侧面向驻留在所述PCB的第一侧上的非易失性存储器设备，其中，所述字符图案是使用导电墨进行喷涂的；响应于所述存储器模块的第二次启动，确定所述字符图案的第二电阻值；以及基于在阈值电阻值内所述第二电阻值不匹配所述第一电阻值，断言所述电路能够访问的寄存器的位，以指示对所述存储器模块的篡改。

根据本公开的另一个实施例，提供了一种方法，包括：在存储器模块的第一次启动之后，确定在散热器盖的一侧上喷涂的字符图案的第一电阻值，所述一侧面向驻留在所述存储器模块的印刷电路板(PCB)的第一侧上的非易失性存储器设备，其中，所述字符图案是使用导电墨进行喷涂的；在所述存储器模块的第二次启动之后，确定所述字符图案的第二电阻值；以及基于在阈值电阻值内所述第二电阻值不匹配所述第一电阻值，断言控制器的电路能够访问的寄存器的位，以指示对所述存储器模块的篡改，所述控制器驻留在所述PCB的所述第一侧或第二侧。

根据本公开的另一个实施例，提供了至少一种机器可读介质，包括多个指令，所述多个指令响应于被系统执行，使得所述系统执行上述方法。

根据本公开的另一个实施例，提供了一种设备，包括用于执行上述方法的装置。

根据本公开的另一个实施例，提供了一种双列直插式存储器模块(DIMM)，包括：印刷电路板(PCB)；第一非易失性存储器设备，驻留在所述PCB的第一侧上；第二非易失性存储器设备，驻留在所述PCB的第二侧上；第一散热器盖，在面向所述第一非易失性存储器设备的一侧上喷涂有第一字符图案，其中，所述第一字符图案是使用导电墨进行喷涂的；第二散热器盖，在面向所述第二非易失性存储器设备的一侧上喷涂有第二字符图案，其中，所述第二字符图案是使用导电墨进行喷涂的；以及控制器，驻留在所述PCB的所述第一侧上，所述控制器包括电路用于：响应于所述DIMM的第一次启动，确定所述第一字符图案和所述第二字符图案的第一电阻值；响应于所述DIMM的第二次启动，确定所述第一字符图案和所述第二字符图案的第二电阻值；以及基于在阈值电阻值内所述第二电阻值不匹配所述第一电阻值，断言所述电路能够访问的寄存器的位，以指示对所述DIMM的篡改。

附图说明

图1图示了示例系统。

图2图示了模块的第一示例图。

图3图示了模块的第二示例图。