[发明专利]用于存储器模块的篡改检测和保护的技术

权利要求书

1.一种装置，包括：

控制器，驻留在存储器模块的印刷电路板PCB上，所述控制器包括电路用于：

响应于所述存储器模块的第一次启动，确定在散热器盖的一侧上喷涂的字符图案的第一电阻值，所述一侧面向驻留在所述PCB的第一侧上的非易失性存储器设备，其中，所述字符图案是使用导电墨进行喷涂的；

响应于所述存储器模块的第二次启动，确定所述字符图案的第二电阻值；以及

基于在阈值电阻值内所述第二电阻值不匹配所述第一电阻值，断言所述电路能够访问的寄存器的位，以指示对所述存储器模块的篡改。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括所述电路用于：

将所述第一电阻值存储到所述控制器的所述电路能够访问的所述寄存器的第一位集；以及

将所述第二电阻值存储到所述寄存器的第二位集，其中，所述第一位集和所述第二位集不包括被断言以指示对所述存储器模块的篡改的位。

3.根据权利要求2所述的装置，还包括所述电路用于：

将所述第一电阻值转换为第一数字格式的数，并将所述第一数字格式的数存储到所述寄存器的所述第一位集；以及

将所述第二电阻值转换为第二数字格式的数，并将所述第二数字格式的数存储到所述寄存器的所述第二位集。

4.根据权利要求1所述的装置，还包括所述电路用于：

响应于所述存储器模块的第三次启动，检测所述寄存器的指示对所述存储器模块的篡改的经断言位；以及

发起篡改策略，所述篡改策略包括：停用所述存储模块的策略、向所述存储器模块的用户生成已检测到篡改的警告的策略、防止解密存储在所述非易失性存储器设备中的加密数据的策略、或擦除存储在所述非易失性存储器设备中的数据的至少一部分的策略。

5.根据权利要求1所述的装置，还包括所述电路用于：

使篡改指示被存储在所述非易失性存储器设备中的至少一者的物理存储器地址中，或者使可编程熔丝位被激活以指示对所述存储器模块的篡改。

6.根据权利要求1所述的装置，所述字符图案包括使用所述导电墨以如下图案在所述散热器盖上喷涂的每模块唯一字符图案：所述图案将字符进行连接以使电流能够经由所述导热墨从所述散热器盖上的输入触点流动到所述散热器盖上的输出触点。

7.根据权利要求1所述的装置，所述导电墨包括碳墨、导电聚合物墨、或金属纳米粒子墨。

8.根据权利要求1所述的装置，所述存储器模块包括双列直插式存储器模块DIMM，所述DIMM还包括：第二非易失性存储器设备，驻留在所述PCB的第二侧上；以及第二散热器盖，在所述第二散热器盖的面向所述第二非易失性存储器设备的一侧上喷涂有第二字符图案，其中，所述第二字符图案是使用导电墨进行喷涂的。

9.根据权利要求8所述的装置，所述电路用于确定所述第一电阻值和所述第二电阻值还包括所述电路用于：

响应于所述存储器模块的所述第一次启动，基于所述字符图案和所述第二字符图案的电阻值确定所述第一电阻值；以及

响应于所述存储器模块的所述第二次启动，基于所述字符图案和所述第二字符图案的电阻值确定所述第二电阻值。

10.根据权利要求1所述的装置，所述非易失性存储器设备包括字节或块可寻址类型的非易失性存储器，该字节或块可寻址类型的非易失性存储器具有包括硫族化物相变材料的3维3D交叉点存储器结构。

11.根据权利要求1所述的装置，所述存储器模块的所述第一次启动包括在所述存储器模块在制造商处组装之后的所述存储器模块的初始启动。