[发明专利]MEMS共腔分膜的SOC芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种MEMS共腔分膜的SOC芯片，其特征在于，包括第一芯片组件和第二芯片组件；其中，

所述第二芯片组件通过键合工艺固定在所述第一芯片组件的顶部，并且，所述第二芯片组件的功能部位与所述第一芯片组件的功能部位位置对应。

2.如权利要求1所述的MEMS共腔分膜的SOC芯片，其特征在于，

所述第一芯片组件为麦克风芯片，所述第二芯片组件为加速度芯片；并且，

所述麦克风芯片的振膜与所述加速度芯片的质量块上下位置对应。

3.如权利要求2所述的MEMS共腔分膜的SOC芯片，其特征在于，

所述麦克风芯片包括第一衬底，所述振膜固定在所述第一衬底的顶部，在所述振膜的上方固定有背极板，所述加速度芯片通过键合工艺固定在所述背极板的顶部；并且，

在所述振膜与所述背极板之间形成有振动腔。

4.如权利要求3所述的MEMS共腔分膜的SOC芯片，其特征在于，

所述加速度芯片包括固定在所述背极板的顶部的第二衬底，在所述第二衬底上连接有悬臂梁，所述质量块连接在所述悬臂梁远离所述第二衬底的一端，并且，在所述悬臂梁远离所述质量块的一端设置有电阻应变片。

5.如权利要求4所述的MEMS共腔分膜的SOC芯片，其特征在于，

所述振膜和所述背极板分别通过第一PAD引线自所述麦克风芯片的两侧引出，所述电阻应变片通过第二PAD引线自所述加速度芯片的一侧引出。

6.如权利要求5所述的MEMS共腔分膜的SOC芯片，其特征在于，

在所述第一衬底上开设有与所述振膜上下位置对应的外通腔，在所述第二衬底上开设有与所述质量块上下位置对应的导通腔；并且，

在所述振膜上开设有两端分别与所述外通腔以及所述振动腔连通的第一通孔，在所述背极板上开设有两端分别与所述导通腔以及所述振动腔连通的第二通孔。

7.一种MEMS共腔分膜的SOC芯片制备方法，其特征在于，包括：

分别制作所述第一芯片组件和所述第二芯片组件；

为所述第一芯片组件制作第一PAD引线，并为所述第二芯片组件第二PAD引线；

通过键合工艺将所述第二芯片组件固定在所述第一芯片组件的顶部。

8.如权利要求7所述的MEMS共腔分膜的SOC芯片制备方法，其特征在于，所述第一芯片为麦克风芯片，所述第二芯片为加速度芯片；并且，

制作所述麦克风芯片的过程包括：

制作第一衬底，并在所述第一衬底上制作振膜；

在所述振膜上制作绝缘介质层；

在所述绝缘介质层上制作背极板；并且，

制作所述加速度芯片的过程包括：

制作第二衬底，并所述第二衬底上制作悬臂梁；

在所述悬臂梁远离所述第二衬底的一端连接质量块；其中，在所述悬臂梁远离所述质量块的一端设置有电阻应变片。

9.如权利要求8所述的MEMS共腔分膜的SOC芯片制备方法，其特征在于，

为所述第一芯片组件制作第一PAD引线的过程包括：

将所述振膜和所述背极板分别通过所述第一PAD引线自所述麦克风芯片的两侧引出；并且，

为所述第二芯片组件制作第二PAD引线的过程包括：

将所述电阻应变片通过第二PAD引线自所述加速度芯片的一侧引出。

10.如权利要求8或9所述的MEMS共腔分膜的SOC芯片制备方法，其特征在于，还包括：

在所述第一衬底上开设与所述振膜上下位置对应的外通腔，并在所述第二衬底上开设与所述质量块上下位置对应的导通腔；并且，

在通过键合工艺将所述加速度芯片固定在所述麦克风芯片的顶部的过程中：使所述麦克风芯片的振膜与所述加速度芯片的质量块上下位置对应。