[发明专利]一种功率模块和电机控制器在审
申请号: | 202111346303.5 | 申请日: | 2021-11-15 |
公开(公告)号: | CN114094866A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 陈润;廖光朝;张小兵 | 申请(专利权)人: | 深圳云潼科技有限公司 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387;H02M7/00;H02P27/06;G01K7/22 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
地址: | 518000 广东省深圳市坪山区坑*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 模块 电机 控制器 | ||
本发明实施例提供一种功率模块和电机控制器,功率模块包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和串联连接的至少两个温度检测单元;第一晶体管的控制极接入第一控制信号,第一晶体管的第一极与第二晶体管的第一极和第三晶体管的第一级电连接,第一晶体管的第二极与第四晶体管的第一极电连接;至少一个所述温度检测单元被所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管包围,至少一个所述温度检测单元被所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管包围。本实施例提供的功率模块和电机控制器,可以更精确的检测功率模块内部的温度。
技术领域
本发明实施例涉及电机控制领域,特别是涉及一种功率模块和电机控制器。
背景技术
在车载、工业低压泵(工作电压在12V)及电机中需使用六颗MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)器件或三颗半桥MOSFET器件组成全桥控制电路,产生车载、工业低压泵和电机的三相交流工作电压。但是现有的全桥控制电路内部的温度无法检测,导致全桥控制电路的在工作时的温度超过所能承受的温度,造成器件的损坏。
发明内容
本实施例提供的功率模块和电机控制器,可以更精确的检测功率模块内部的温度。
第一方面,本实施例提供一种功率模块,该功率模块包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和至少两个串联连接的温度检测单元;
所述第一晶体管的控制极接入第一控制信号,所述第一晶体管的第一极与所述第二晶体管的第一极和所述第三晶体管的第一级电连接,所述第一晶体管的第一极接入电源信号,所述第一晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极电连接;
所述第二晶体管的控制极接入第二控制信号,所述第二晶体管的第二极与所述第五晶体管的第一极电连接;
所述第三晶体管的控制极接入第三控制信号,所述第三晶体管的第二极与所述第六晶体管的第二极电连接;
所述第四晶体管的控制极接入第四控制信号,所述第四晶体管的第二极输出第一电流信号;
所述第五晶体管的控制极接入第五控制信号,所述第五晶体管的第二极输出第二电流信号;
所述第六晶体管的控制极接入第六控制信号,所述第六晶体管的第二极输出第三电流信号;
所述第一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第二极和所述第三晶体管的第二极构成所述功率模块的三相输出端;
至少一个所述温度检测单元被所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管包围,至少一个所述温度检测单元被所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第五晶体管和所述第六晶体管包围。
可选的,本实施例提供的功率模块还包括第一采样端、第二采样端和第三采样端;
所述第一采样端与所述第一晶体管的第二极电连接;
所述第二采样端与所述第二晶体管的第二极电连接;
所述第三采样端与所述第三晶体管的第二极电连接。
可选的,本实施例提供的功率模块还包括第一控制端、第二控制端、第三控制端、第四控制端、第五控制端和第六控制端;
所述第一控制端与所述第一晶体管的控制极电连接;
所述第二控制端与所述第二晶体管的控制极电连接;
所述第三控制端与所述第三晶体管的控制极电连接;
所述第四控制端与所述第四晶体管的控制极电连接;
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