[发明专利]闪存器件的制造方法

说明书

本发明提供一种闪存器件的制造方法，包括以下步骤：硅衬底上方制作形成浮栅多晶硅、控制栅多晶硅；在控制栅多晶硅的上方形成第一氧化层；制作字线多晶硅和氮化硅本发明在制作控制栅多晶硅后在CG表面氧化一层氧化层，该氧化层作为阻挡层保护CG不被H₃PO₄腐蚀，从而避免浮栅多晶硅残留，以解决闪存期间的单比特无法擦写的问题。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，特别涉及一种闪存器件的制造方法。

背景技术

在制造过程中，发现某NOR flash(一种闪存)产品良率较低，经EFA(电性失效分析)验证为single bit(单比特)无法擦写。经PFA(物性失效分析)分析，均发现存在FG(浮栅)poly residue(多晶硅残留)，导致BL(位线)CT(通孔)与FG bridge by NiPt salicide(由于铂镍合金自对准硅化物而发生桥接)，影响擦写和读。

在闪存制造流程中，CG(Control Gate，控制栅)CT刻蚀为关键流程。图1～图4示出了一种闪存器件的部分制作流程。根据现有技术，参照图1，在硅衬底101上方制作形成浮栅多晶硅102、控制栅多晶硅103之后，制作字线多晶硅104和氮化硅(SiN)105。然后，参照图2，去除memory cell(存储单元)区域的氮化硅。在这个步骤中，沿晶界腐蚀CG，产生孔洞(void，属于一种材料缺陷，会影响材料的致密性，从而影响强度)11。接下来，参照图3，淀积形成硬掩膜(HM)106，并填平孔洞11。然后，参照图4，进行控制栅通孔刻蚀，产生浮栅多晶硅残留12，导致有孔洞的地方硬掩膜偏厚，造成后续CGCT Block Etch(控制栅通孔阻挡刻蚀)。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术的闪存器件单比特无法擦写的缺陷，提供一种闪存器件的制造方法。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

本发明提供一种闪存器件的制造方法，包括以下步骤：

硅衬底上方制作形成浮栅多晶硅、控制栅多晶硅；

在控制栅多晶硅的上方形成第一氧化层；

制作字线多晶硅和氮化硅。

较佳地，在控制栅多晶硅的上方形成第一氧化层包括：

对控制栅多晶硅的表面进行氧化以形成第一氧化层。

较佳地，在控制栅多晶硅的上方形成第一氧化层包括：

在控制栅多晶硅的上方淀积形成第一氧化层。

较佳地，第一氧化层的厚度为

较佳地，在制作字线多晶硅和氮化硅的步骤之后，闪存器件的制造方法还包括以下步骤：

去除存储单元区域的氮化硅。

较佳地，在去除存储单元区域的氮化硅的步骤之后，闪存器件的制造方法还包括以下步骤：

淀积形成硬掩膜。

较佳地，在淀积形成硬掩膜的步骤之后，闪存器件的制造方法还包括以下步骤：

进行控制栅通孔刻蚀。

较佳地，闪存器件为NORD闪存(一种闪存)器件。

较佳地，闪存器件的制造方法采用55nm(纳米)工艺。

本发明的积极进步效果在于：本发明在制作控制栅多晶硅后在CG表面氧化一层氧化层，该氧化层作为阻挡层保护CG不被H₃PO₄(磷酸)腐蚀，从而避免浮栅多晶硅残留，以解决闪存期间的单比特无法擦写的问题。