[发明专利]闪存器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111344997.9 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114038853A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 丁浩;熊伟;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 制造 方法 | ||
1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
硅衬底上方制作形成浮栅多晶硅、控制栅多晶硅；
在所述控制栅多晶硅的上方形成第一氧化层；
制作字线多晶硅和氮化硅。
2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述在所述控制栅多晶硅的上方形成第一氧化层包括：
对所述控制栅多晶硅的表面进行氧化以形成所述第一氧化层。
3.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述在所述控制栅多晶硅的上方形成第一氧化层包括：
在所述控制栅多晶硅的上方淀积形成所述第一氧化层。
4.如权利要求1～3中任意一项所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为
5.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在所述制作字线多晶硅和氮化硅的步骤之后，所述闪存器件的制造方法还包括以下步骤：
去除存储单元区域的所述氮化硅。
6.如权利要求5所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在所述去除存储单元区域的所述氮化硅的步骤之后，所述闪存器件的制造方法还包括以下步骤：
淀积形成硬掩膜。
7.如权利要求6所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在所述淀积形成硬掩膜的步骤之后，所述闪存器件的制造方法还包括以下步骤：
进行控制栅通孔刻蚀。
8.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述闪存器件为NORD闪存器件。
9.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述闪存器件的制造方法采用55nm工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
