[发明专利]一种P型掺杂控制栅的浮栅型分栅闪存工艺方法

说明书

本发明公开了一种P型掺杂控制栅的浮栅分栅闪存的制造工艺方法，其工艺方法步骤如下：S1:定义浮栅闪存和外围逻辑区的有源区；S2:注入形成浮栅存储晶体管防穿通、阈值电压的P型注入层；S3:进行CG‑Poly第一次刻蚀并注入离子形成调整选择管器件阈值电压注入层；S4:通过CMP方式形成自对准的选择栅；S5:进行低能量、大剂量、大倾斜角度的P型杂质注入对CG‑Poly掺杂；S6:依次进行LDD注入、第三侧墙沉积和刻蚀、源漏注入；本发明采用在第二次刻蚀CG‑Poly之前或者在第二次刻蚀CG‑Poly之后进行低能量、大剂量、大倾斜角度的P型杂质注入对CG‑Poly掺杂，由于将CG‑Poly的掺杂注入放置在第二次CG‑Poly刻蚀之后，使得注入的P型杂质离子经历更少的热过程推进，减少了CG‑Poly中P型杂质离子的向其他材料的扩散，提高了工艺的兼容性。

技术领域

本发明涉及闪存技术领域，具体是一种P型掺杂控制栅的浮栅型分栅闪存工艺方法。

背景技术

闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。闪存卡(Flash Card)是利用闪存(Flash Memory)技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia(SM卡)、Compact Flash(CF卡)、MultiMediaCard(MMC卡)、Secure Digital(SD卡)、Memory Stick(记忆棒)、XD-PictureCard(XD卡)和微硬盘(MICRODRIVE)这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。闪存存取比较快速，无噪音，散热小。用户空间容量需求量小的，打算购置的话可以不考虑太多，同样存储空间买闪存。如果需要容量空间大的(如500G)，就买硬盘，较为便宜，也可以满足用户应用的需求。闪存(Flash)存储器已经成为非易失性半导体存储技术的主流。闪存存储器分为两种类型:叠栅式闪存和分栅式闪存分栅(split-gate)闪存技术被广泛用于各种嵌入式电子产品如金融IC卡、汽车电子等应用。

现有的2-bit/cell(二比特每存储单元)的分栅浮栅闪存的结构如图1所示，制造流程如图2所示。随着器件控制栅的不断微缩，控制栅对沟道的控制越来弱，使得Flashcell的编程之后的阈值电压(Vtp)降低了～1.5V，因此使得器件的漏电(Ir01)急剧增加。因此为了降低Ir01，必须增加器件注入浮栅存储晶体管防穿通、阈值电压的P型注入层的剂量，但是增加浮栅存储晶体管防穿通、阈值电压的P型注入的剂量，会使得器件的结击穿电压降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种P型掺杂控制栅的浮栅型分栅闪存工艺方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：