[发明专利]利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统

说明书

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统，其中利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法包括：判断多晶硅控制栅偏移的方向；以及获取多晶硅控制栅偏移的距离，实现了多晶硅控制栅偏移的精确测量，以便于通过光学补偿增加偏移修补量，以抵消由于对准偏差所以引起的版图偏移，防止因版图偏移导致产品存在质量问题。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统。

背景技术

阱邻近效应(WPE,Well Proximity Effect),在IC制造过程中，在阱离子注入期间，高能掺杂离子在阱光刻胶边缘散射，并且在形成栅极之前，散射离子被注入MOSFET沟道(如图1所示)。阱掺杂的横向不均匀性导致MOSFET阈值电压和其他电气特性随晶体管到阱边(SC)的距离而变化,这种现象通常被称为阱邻近效应(WPE)。如图2所示，随着晶体管到阱边(SC)的距离减小，进入沟道的散射离子数量增加，因此Vt将增加，Ids将减少。

版图产生偏移可能是由于对准偏差引起的。对准偏差可能来源于掩模变形或比例不正常、晶圆本身的变形、光刻机投影透镜系统的失真、晶圆工件台移动的不均匀等。版图的偏移会导致产品的质量存在问题。

因此，基于上述技术问题需要设计一种新的利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统。

发明内容

本发明的目的是提供一种利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种验证Poly版图偏移的方法，包括：

判断多晶硅控制栅偏移的方向；以及

获取多晶硅控制栅偏移的距离。

进一步，所述判断多晶硅控制栅偏移的方向的方法为：判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向。

进一步，所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向中，多晶硅控制栅包括四个相同的晶体管：T1、T2、T3和T4；

其中晶体管T1与晶体管T3在一直线上，晶体管T2与晶体管T4在另一直线上，并且晶体管T1和晶体管T3所在的直线与晶体管T2和晶体管T4所在的直线垂直；以及

四个晶体管中心对称；

各晶体管均设置有对应的有源区。

进一步，所述判断多晶硅控制栅偏移的方向时，有源区宽度W与晶体管宽度L的比为1：1。

进一步，所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向的方法包括：

当T1的电流大于T3的电流且T2的电流等于T4的电流时，晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31小于晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T1向T3的方向偏移，并且晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31为sc31＝sc31₀-DL1，晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11为sc11＝sc11₀+DL1；

当T1的电流小于T3的电流且T2的电流等于T4的电流时，晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31大于晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T3向T1的方向偏移，并且晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31为sc31＝sc31₀+DL1，晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11为sc11＝sc11₀-DL1；

其中，sc31₀为标准版图中晶体管T3与对应阱边之间的距离；sc11₀为标准版图中晶体管T1与对应阱边之间的距离；DL1为多晶硅控制栅相对于有源区在T3与T1所在直线上偏移的距离。