[发明专利]利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统

权利要求书

1.一种验证Poly版图偏移的方法，其特征在于，包括：

判断多晶硅控制栅偏移的方向；以及

获取多晶硅控制栅偏移的距离。

2.如权利要求1所述的验证Poly版图偏移的方法，其特征在于，

所述判断多晶硅控制栅偏移的方向的方法为：判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向。

3.如权利要求2所述的验证Poly版图偏移的方法，其特征在于，

所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向中，多晶硅控制栅包括四个相同的晶体管：T1、T2、T3和T4；

其中晶体管T1与晶体管T3在一直线上，晶体管T2与晶体管T4在另一直线上，并且晶体管T1和晶体管T3所在的直线与晶体管T2和晶体管T4所在的直线垂直；以及

四个晶体管中心对称；

各晶体管均设置有对应的有源区。

4.如权利要求3所述的验证Poly版图偏移的方法，其特征在于，

所述判断多晶硅控制栅偏移的方向时，有源区宽度W与晶体管宽度L的比为1：1。

5.如权利要求4所述的验证Poly版图偏移的方法，其特征在于，

所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向的方法包括：

当T1的电流大于T3的电流且T2的电流等于T4的电流时，晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31小于晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T1向T3的方向偏移，并且晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31为sc31＝sc31₀-DL1，晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11为sc11＝sc11₀+DL1；

当T1的电流小于T3的电流且T2的电流等于T4的电流时，晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31大于晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T3向T1的方向偏移，并且晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31为sc31＝sc31₀+DL1，晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11为sc11＝sc11₀-DL1；

其中，sc31₀为标准版图中晶体管T3与对应阱边之间的距离；sc11₀为标准版图中晶体管T1与对应阱边之间的距离；DL1为多晶硅控制栅相对于有源区在T3与T1所在直线上偏移的距离。

6.如权利要求5所述的验证Poly版图偏移的方法，其特征在于，

所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向的方法还包括：

当T2的电流大于T4的电流且T1的电流等于T3的电流时，晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41小于晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T2向T4的方向偏移，并且晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41为sc41＝sc41₀-DL2，晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21为sc21＝sc21₀+DL2；

当T2的电流小于T4的电流且T1的电流等于T3的电流时，晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41大于晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21，此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T4向T2的方向偏移，并且晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41为sc41＝sc41₀+DL2，晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21为sc21＝sc21₀-DL2；

其中，sc41₀为标准版图中晶体管T4与对应阱边之间的距离；sc21₀为标准版图中晶体管T2与对应阱边之间的距离；DL2为多晶硅控制栅相对于有源区在T2与T4所在直线上偏移的距离。