[发明专利]以电压分布的每一侧上关于分布均值的单独表征进行的自适应读取阈值电压跟踪

说明书

本发明提供用于以电压分布的每一侧上关于分布均值的单独表征进行自适应读取阈值电压跟踪的方法和设备。通过使用多个读取阈值电压至少部分地基于两个相邻存储器等级的统计分布的类型和从单元读取的数据值的分布确定所述存储器等级的统计特征来调整存储器的读取阈值电压，其中关于所述统计分布的至少一个均值在两侧上独立地表征所述两个相邻存储器等级的所述统计特征；通过使用所述两个相邻存储器等级的所述统计特征计算与所述两个相邻存储器等级相关联的经调整读取阈值电压；以及基于所述经调整读取阈值电压更新所述读取阈值电压。响应于一或多个读取误差任选地执行所述调整。

分案申请信息

本申请是申请日为2016年10月31日、申请号为“201610967648.5”、发明名称为“以电压分布的每一侧上关于分布均值的单独表征进行的自适应读取阈值电压跟踪”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

技术领域大体上涉及固态存储媒体，且更具体地说，涉及用于此类固态存储媒体的读取阈值电压。

背景技术

固态存储装置使用模拟存储器单元来存储数据。每个存储器单元存储存储值，例如电气电压。存储值表示存储器单元中存储的信息。许多固态存储装置基于存储器单元的读取电压电平区分开存储器单元可存储的不同二元值。每一存储器单元的可能存储值的范围通常被分成阈值区，其中每一区通过读取阈值电压分隔开且对应于一或多个数据位值。理想地，给定固态存储装置中的所有存储器单元对于所存储的逻辑位值具有相同的读取阈值电压。然而，在实践中，在类似于高斯分布的沿读取阈值电压轴的概率分布(例如，“读取阈值电压分布”)中，读取阈值电压跨单元而不同。

另外，固态存储装置可随时间推移而移位。举例来说，存储器单元泄漏、存储器单元损坏和对存储器单元的其它干扰可改变存储器单元的读取电压电平。因此，读取阈值电压可随时间推移而移位。泄漏和其它干扰的比率还可在存储器单元随时间推移经使用时随着老化而增加。如果存储器单元的读取电压电平移位超过读取阈值电压，则发生数据误差，因为从存储器单元读取的数据的值不同于写入到存储器单元的数据的值。

已经提出或推荐多种技术用于适应于读取阈值电压中的变化以维持所需性能水平。现有自适应跟踪算法设计为跟踪固态存储通道中的变化，并因此帮助维持经更新通道参数的集合。经更新通道参数用于(例如)调整读取阈值电压。

2012年6月26日提交的标题为“非易失性存储器的读取阈值的优化(Optimizationof Read Thresholds for Non-Volatile Memory)”的第2013/0343131号美国公开专利申请案揭示了用于调适读取阈值电压的技术，所述申请案以引用的方式并入本文。虽然此类现有自适应跟踪算法已经协助提高固态存储装置的性能，但是其受到一或多个限制，所述限制如果克服可以进一步提高固态存储装置的可靠性和性能。举例来说，第2013/0343131号美国公开专利申请案中描述的技术假设已知固态存储装置的默认读取阈值电压之间的间隙。通常，间隙是确保各种所收集统计数字之间的公用换算的常量值。虽然一些固态存储供应商提供关于间隙的信息，但是其它供应商不提供此类信息。

因此，需要用于调适读取阈值电压的改进的技术，所述技术估计固态存储装置的默认读取阈值电压之间的间隙并由此提高解码性能。进一步需要关于给定分布的均值分别地表征所述分布的每一侧由此以改进的稳定性计算读取阈值电压的技术。

发明内容