[发明专利]以电压分布的每一侧上关于分布均值的单独表征进行的自适应读取阈值电压跟踪在审
| 申请号: | 202111340353.2 | 申请日: | 2016-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN114078539A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
| 发明(设计)人: | 桑达尔杰·桑卡兰阿拉亚南;埃里希·F·哈拉特施 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/34;G11C11/56;G11C16/04 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电压 分布 一侧 关于 均值 单独 表征 进行 自适应 读取 阈值 跟踪 | ||
1.一种装置,其包括:
控制器,其经配置以执行以下步骤调整存储器的读取阈值电压,其中,所述控制器与所述存储器不同:
使用所述存储器的二进制数据估计两个相邻默认读取阈值电压之间的间隙;
使用所述控制器,至少部分基于存储器等级的统计分布的类型,使用与所述两个相邻默认读取阈值电压中至少一者相关的多个离散读取阈值电压从一或多个单元读取的数据值的分布,以及所述间隙,来确定统计特征,所述统计特征包括至少所述存储器的两个相邻存储器等级的每一者的均值和标准偏差,其中,所述多个离散读取阈值电压中与所述两个相邻默认读取阈值电压中第一个相关联的每一者通过将相应偏移值施加在所述第一默认读取阈值电压上而获得,其中所述相应偏移值是相对于所述第一默认读取阈值电压,其中所述第一默认读取阈值电压具有彼此之间互相独立的非零偏移值的第一集合;
通过使用所述两个相邻存储器等级的所述统计特征计算与所述两个相邻存储器等级相关联的经调整读取阈值电压;以及
使用所述经调整读取阈值电压更新所述读取阈值电压。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,使用所述两个相邻默认读取阈值电压之间的一个电压差和数个偏移步长中的一或多者估计所述间隙。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,基于所述两个相邻存储器等级的均值的差估计所述间隙。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,当对于围绕所述统计分布的至少一个均值的两侧来说,从一或多个单元读取的数据值的所述分布的统计数字有效时,基于所述两个相邻存储器等级的均值的差估计所述间隙。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,当对于围绕所述统计分布的至少一个均值的两侧来说,从一或多个单元读取的数据值的所述分布的统计数字无效时,对从一个或多个单元读取的额外数据值重新执行所述步骤。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,当均值仅对所述统计分布的一侧有效时,使用所述统计分布的另一侧的一个可用有效观察值来估计所述间隙。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述控制器进一步被配置为,当所述统计分布的另一侧有不止一个可用的有效观察值可用时,对多个间隙估计值平均化。
8.根据权利要求1所述的装置,其中,当均值仅对所述统计分布的一侧有效时,将所述统计分布的所述一侧的选择的观察值用于所述统计分布的另一侧,来估计所述间隙。
9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述控制器进一步被配置为重新估计所述间隙。
10.根据权利要求1所述的装置,其中,所述两个相邻存储器等级的所述统计特征在关于所述统计分布的至少一个均值的两侧上独立地表征。
11.根据权利要求1所述的装置,其中,统计分布的所述类型大体上是高斯。
12.根据权利要求1所述的装置,其中,从一或多个单元读取的数据值的所述分布大致是零和一的相等数目。
13.根据权利要求1所述的装置,其中,所述两个相邻存储器等级中每一者的所述统计特征包括一个或多个均值和一或多个标准偏差值。
14.根据权利要求1所述的装置,其中,响应于一或多个读取误差执行所述调整。
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