[发明专利]一种用于K波段的高精度数控移相器及其移相方法有效

专利信息
申请号: 202111338921.5 申请日: 2021-11-12
公开(公告)号: CN113783550B 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 袁小方;刘成鹏;姚静石;毛毅 申请(专利权)人: 成都明夷电子科技有限公司
主分类号: H03H17/08 分类号: H03H17/08;H03H11/16
代理公司: 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 代理人: 尹新路
地址: 610000 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 波段 高精度 数控 移相器 及其 方法
【说明书】:

发明提出了一种用于K波段的高精度数控移相器及其移相方法,通过划分三级移相,通过第一级反射型移相单元和第二级反射型移相单元分别进行90°的移相,再由180°移相单元进行180°的移相控制,通过逻辑控制电路将二进制位的控制码转换为精确控制三级移相的控制码,从而实现高精度且连续性的移相控制,本发明通过上述设置解决了传统移相下K波段移相不连续,且移相步进大的缺陷,同时采用常规元器件即可实现本发明,在增加了移相稳定性的情况下还进一步地大大降低了成本。

技术领域

本发明属于应用于无线通信中的移相器技术领域,具体地说,涉及一种用于K波段的高精度数控移相器及其移相方法。

背景技术

移相器主要应用在电信、雷达、导弹姿态控制、加速器、通信、仪器仪表等领域。波在任意传导介质进行传输时都会产生相位的偏移,移相器是一种能够对波在传输过程中产生的相移进行调整的装置。由于不同的应用场景会存在不同的传输介质,进而导致波在其中传输而产生的相位偏移各不相同。常规的移相器移相精度较低,而且相位移动的档位比较有限。随着现代电子技术发展,现在主要利用A/D,D/A转换实现数字移相,这种移相器的优点就是移相精度高,缺点就是因为数字控制位有限造成相位移动的不连续且芯片面积较大。

传统的数字控制移相器移相不连续即移相步进较大,不利于使用的缺点,导致应用场景存在局限性。同时由于K波段所处的频段(18GHz-27GHz)较高,传统的移相器在该频段插损较大,幅度调制较差,且芯片面积偏大的弊端也会带来成本的增加。

发明内容

本发明针对现有技术的上述缺陷,提出了一种用于K波段的高精度数控移相器及其移相方法,通过划分三级移相,通过第一级反射型移相单元和第二级反射型移相单元分别进行90°的移相,再由180°移相单元进行180°的移相控制,通过逻辑控制电路将二进制位的控制码转换为精确控制三级移相的控制码,从而实现高精度且连续性的移相控制,本发明通过上述设置解决了传统移相下K波段移相不连续,且移相步进大的缺陷,同时采用常规元器件即可实现本发明,在增加了移相稳定性的情况下还进一步地大大降低了成本。

本发明具体实现内容如下:

本发明提出了一种用于K波段的高精度数控移相器,连接INN输入信号和INP输入信号,包括反射型移相模块、180°移相单元和逻辑控制电路;

所述反射型移相模块包括两个反射型移相单元,分别为第一级反射型移相单元和第二级反射型移相单元;

所述第一级反射型移相单元、第二级反射型移相单元和180°移相单元依次连接;所述第一级反射型移相单元分别连接INN输入信号和INP输入信号;

所述逻辑控制电路包括第一级控制单元、第二级控制单元和第三级控制单元;

所述第一级控制单元为二进制位控制码输出单元,分别与所述180°移相单元和第二级控制单元连接;

所述第二级控制单元为二进制码转温度码单元,所述第三级控制单元包括多个温度码转二进制码单元,每个温度码转二进制码单元分别与第二级控制单元的二进制码转温度码单元连接;

所有温度码转二进制码单元均分为两组,两组温度码转二进制码单元对应连接第一级反射型移相单元和第二级反射型移相单元。

为了更好地实现本发明,进一步地,所述180°移相单元包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4;

所述MOS管M1的源极和MOS管M3的源极共同连接所述电感L2后作为OUTP输出端,所述MOS管M2的源极和MOS管M4的源极共同连接所述电感L4后作为OUTN输出端;

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