[发明专利]一种用于K波段的高精度数控移相器及其移相方法

权利要求书

1.一种用于K波段的高精度数控移相器，连接INN输入信号和INP输入信号，其特征在于，包括反射型移相模块、180°移相单元和逻辑控制电路；

所述反射型移相模块包括多个反射型移相单元，多个反射型移相单元之间依次连接后还与所述180°移相单元连接；第一个反射型移相单元的输入端分别连接INN输入信号和INP输入信号；

所述逻辑控制电路包括第一级控制单元、第二级控制单元和第三级控制单元；

所述第一级控制单元为二进制位控制码输出单元，分别与所述180°移相单元和第二级控制单元连接；

所述第二级控制单元为二进制码转温度码单元，所述第三级控制单元包括多个温度码转二进制码单元，每个温度码转二进制码单元分别与第二级控制单元的二进制码转温度码单元连接；

所有温度码转二进制码单元均分为多组，多组温度码转二进制码单元对应连接多个反射型移相单元；

所述反射型移相模块包括两个反射型移相单元，分别为第一级反射型移相单元和第二级反射型移相单元；

所述第一级反射型移相单元、第二级反射型移相单元和180°移相单元依次连接；所述第一级反射型移相单元分别连接INN输入信号和INP输入信号；

所述逻辑控制电路包括第一级控制单元、第二级控制单元和第三级控制单元；

所述第一级控制单元为二进制位控制码输出单元，分别与所述180°移相单元和第二级控制单元连接；

所述第二级控制单元为二进制码转温度码单元，所述第三级控制单元包括多个温度码转二进制码单元，每个温度码转二进制码单元分别与第二级控制单元的二进制码转温度码单元连接；

所有温度码转二进制码单元均分为两组，两组温度码转二进制码单元对应连接第一级反射型移相单元和第二级反射型移相单元；

所述第一级反射型移相单元包括第一耦合器、第二耦合器、第一电容开关阵列和第二电容开关阵列；所述第二级反射型移相单元包括第三耦合器、第四耦合器、第三电容开关阵列和第四电容开关阵列；所述第一耦合器、第二耦合器、第三耦合器、第四耦合器均为四口耦合器，所述第一电容开关阵列、第二电容开关阵列第三电容开关阵列和第四电容开关阵列均包含12个并联的开关电容；

所述第一耦合器的①接口连接INP输入信号，②接口连接第一电容开关阵列的P端，④接口连接第二电容开关阵列的P端；

所述第二耦合器的①接口连接INN输入信号，②接口连接第一电容开关阵列的N端，④接口连接第二电容开关阵列的N端；

所述第三耦合器的①接口与第一耦合器的③接口连接，②接口连接第三电容开关阵列的P端，④接口连接第四电容开关阵列的P端；

所述第四耦合器的①接口连接第二耦合器的③接口，②接口连接第三电容开关阵列的N端，④接口连接第四电容开关阵列的N端；

所述第三耦合器的③接口和第四耦合器的③接口分别与所述180°移相单元连接；

所述N端代表连接向INN输入信号的一端，所述P端代表连接INP输入信号的一端。

2.如权利要求1所述的一种用于K波段的高精度数控移相器，其特征在于，所述180°移相单元包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4；

所述MOS管M1的源极和MOS管M3的源极共同连接所述电感L2后作为OUTP输出端，所述MOS管M2的源极和MOS管M4的源极共同连接所述电感L4后作为OUTN输出端；

所述MOS管M1的漏极与MOS管M2的漏极共同连接电感L1后与第二级反射型移相单元输出INP输入信号的一端连接，所述MOS管M4的漏极与MOS管M3的漏极共同连接电感L3后与第二级反射型移相单元输出INN输入信号的一端连接；

所述MOS管M1的栅极、MOS管M4的栅极、MOS管M2的栅极和MOS管M3的栅极分别连接第一级控制单元，且所述MOS管M1的栅极和MOS管M4的栅极分别连接第一级控制单元发送的控制电平，所述MOS管M2的栅极和MOS管M3的栅极分别连接第一级控制单元发送的控制电平VG；

所述控制电平与控制电平VG幅度相等、相位相反。

3.如权利要求2所述的一种用于K波段的高精度数控移相器，其特征在于，所述第三耦合器的③接口与所述180°移相单元的电感L1连接，所述第四耦合器的③接口与所述180°移相单元的电感L3连接。