[发明专利]一种挤压式纳米金属过孔互连工艺在审
申请号: | 202111337237.5 | 申请日: | 2021-11-11 |
公开(公告)号: | CN114126258A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 杨冠南;唐泽华;李泽波;崔成强;张昱 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | H05K3/42 | 分类号: | H05K3/42;H05K1/11;B82Y30/00 |
代理公司: | 佛山市君创知识产权代理事务所(普通合伙) 44675 | 代理人: | 冼柏恩 |
地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 挤压 纳米 金属 互连 工艺 | ||
本发明公开一种挤压式纳米金属过孔互连工艺,包括以下步骤:(1)提供两块薄膜和一块基板,所述基板上设有预填孔,在两块薄膜上打出通孔,所述通孔的位置与所述预填孔的位置一一对应;(2)将两块薄膜分别覆盖在所述基板的上下两面,在所述预填孔上填充纳米金属膏体;(3)对基板进行加压,使得纳米金属膏体挤入预填孔内;(4)对基板进行加热,直到完成基板的烧结;(5)完成烧结后,将两块薄膜与基板分离。该工艺对填充的纳米金属进行挤压,从而提高了纳米金属的致密度,使得纳米金属结构稳定,提高了纳米金属的导电与导热性能;另外,该工艺还具有填孔效率高,操作简单,还能减少环境污染。
技术领域
本发明涉及半导体与集成电路制造领域,具体涉及一种挤压式纳米金属过孔互连工艺。
背景技术
电路板大部分电子产品的基础,出现在大部分电子设备中,一般说来,如果在设备中有电子元器件,那么它们也都是被集成在大小各异的电路板上。随着电子产品的功能日益增强,其普及程度越来越高,对于应用在电子产品中的电路板的要求也相应提高。在电路板的制造工艺中,通常在电路板各层的基板上设置通孔或者盲孔,通过填孔工艺实现各层互连,从而减小延时,降低能耗并提高集成度。
目前,常用的填孔工艺是采用电镀铜填孔,例如,申请公告号CN104470260A的发明专利申请公开了一种盲孔电镀填孔方法和一种电路板,盲孔电镀填孔方法用于对电路板板体上的盲孔进行电镀填孔,包括:获取盲孔的尺寸参数;根据盲孔的尺寸参数设定电镀填孔参数;将板体浸入到电镀药水内进行电镀填孔,使电镀金属填满盲孔。该方法操作简单、电镀填孔次数少、周期短、速度快。
但是,上述填孔工艺存在以下不足:
1、采用电镀填孔工艺,使得填充在盲孔中的铜的结构较为疏松,导致填充的铜存在结构上的缺陷,影响的了盲孔的导电与导热性能。
2、由于铜与镀件的热膨胀系数不匹配,容易引起应力集中,诱发裂纹并导致失效。
3、对于大尺寸的孔洞来说,填孔效率较低,且电镀工艺还会对环境造成污染。
发明内容
本发明的目的在于克服上述存在的问题,提供一种挤压式纳米金属过孔互连工艺,该工艺对填充的纳米金属进行挤压,从而提高了纳米金属的致密度,使得纳米金属结构稳定,提高了纳米金属的导电与导热性能;另外,该工艺还具有填孔效率高,操作简单,还能减少环境污染。
本发明的目的通过以下技术方案实现:
一种挤压式纳米金属过孔互连工艺,包括以下步骤:
(1)提供两块薄膜和一块基板,所述基板上设有预填孔,在两块薄膜上打出通孔,所述通孔的位置与所述预填孔的位置一一对应;
(2)将两块薄膜分别覆盖在所述基板的上下两面,在所述预填孔上填充纳米金属膏体;
(3)对基板进行加压,使得纳米金属膏体挤入预填孔内;
(4)对基板进行加热,直到完成基板的烧结;
(5)完成烧结后,将两块薄膜与基板分离。
本发明的一个优选方案,其中,所述预填孔为上下贯通的孔,该预填孔的中部设有向内凸出的凸出结构。其目的在于,通过设置凸出结构,使得预填孔形成上下直径大,中间直径小的结构,当对基板加压时,能够更好的将纳米金属膏体挤入预填孔中。
优选地,所述预填孔的上下端均设有锥形面,两个锥形面构成上述凸出结构,其中,所述锥形面与垂直与所述基板方向的夹角为α,所述α应满足:
α≥Rstan-1μ-RL(90°-θ)且α≥0°
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学,未经广东工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111337237.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。