[发明专利]存储设备和操作存储设备的方法在审
| 申请号: | 202111333481.4 | 申请日: | 2021-11-11 |
| 公开(公告)号: | CN114913908A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
| 发明(设计)人: | 朴世桓;金真怜;徐荣德;申东旻;张俊锡;曹诚敏 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00;G11C29/42;G11C29/50;G11C29/12 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙尚白 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储 设备 操作 方法 | ||
1.一种存储设备,包括:
非易失性存储器件,包括:
存储单元阵列,包括正常单元区域、奇偶校验单元区域和与修复所述正常单元区域和所述奇偶校验单元区域中的缺陷列相关联的冗余单元区域,所述存储单元阵列包括耦接到第一位线和第二位线的多个非易失性存储单元,所述第一位线连接到所述正常单元区域和所述奇偶校验单元区域,所述第二位线连接到所述冗余单元区域;
页缓冲器电路,通过所述第一位线和所述第二位线连接到所述存储单元阵列;以及
地址解码器,通过多个字线连接到所述存储单元阵列,以及存储器控制器,被配置为控制所述非易失性存储器件,
其中,所述存储器控制器包括纠错码ECC引擎,所述ECC引擎被配置为通过对要存储在所述正常单元区域中的用户数据执行ECC编码来产生奇偶校验数据,
其中,所述存储器控制器被配置为:
将所述用户数据存储在所述正常单元区域中,
控制所述非易失性存储器件对所述第一位线中的第一缺陷位线执行列修复,所述第一缺陷位线中的每一个与所述缺陷列中的给定一个相关联,
将附加列地址分配给所述第一缺陷位线和所述第二位线,以及
将所述奇偶校验数据中的至少一部分存储在与附加地分配的列地址相对应的区域中。
2.根据权利要求1所述的存储设备,其中,所述存储设备还包括:
控制电路,被配置为控制所述页缓冲器电路对缺陷位线中的所述第一缺陷位线执行所述列修复,所述缺陷位线中的每一个具有给定的缺陷列,
其中,所述控制电路被配置为对所述缺陷位线中的第二缺陷位线的至少一部分跳过所述列修复,并且被配置为将所述第二缺陷位线的所述部分的缺陷列地址信息存储在信息块中,以及
其中,所述存储单元阵列包括竖直堆叠在衬底上的多个单元串。
3.根据权利要求2所述的存储设备,其中:
所述控制电路被配置为:基于所述第二缺陷位线的错误属性将所述第二缺陷位线分为第一组缺陷位线和第二组缺陷位线,
所述第一组缺陷位线具有1-错误,所述1-错误指示0的比特值被错误地读出为1的比特值,以及
所述第二组缺陷位线具有0-错误,所述0-错误指示1的比特值被错误地读出为0的比特值。
4.根据权利要求3所述的存储设备,其中,所述控制电路被配置为:在对所述非易失性存储器件的测试序列期间,基于对所述正常单元区域中的所述信息块执行编程操作和读取操作,将所述缺陷列地址信息存储在所述信息块中。
5.根据权利要求4所述的存储设备,其中,所述控制电路被配置为:
在所述信息块中对包括全0的比特值的数据进行编程;
通过将第一测试读取电压施加到所述字线中的所述信息块的第一字线,来确定输出1的比特值的存储单元具有所述1-错误,所述第一测试读取电压的电平小于所述信息块中的编程存储单元的阈值电压;以及
通过将第二测试读取电压施加到所述信息块的所述第一字线,来确定输出0的比特值的存储单元具有所述0-错误,所述第二测试读取电压的电平大于所述信息块中的所述编程存储单元的所述阈值电压。
6.根据权利要求2所述的存储设备,
其中,所述控制电路被配置为:响应于来自所述存储器控制器的请求而向所述存储器控制器提供所述缺陷列地址信息,
其中,所述存储器控制器还包括:
缓冲器,被配置为存储所述缺陷列地址信息;以及
处理器,被配置为控制所述ECC引擎,
其中,所述ECC引擎包括:
存储器,用于存储ECC;
ECC编码器,被配置为基于所述ECC对所述用户数据执行ECC编码以产生所述奇偶校验数据;以及
ECC解码器,被配置为选择性地使用所述缺陷列地址信息,并且被配置为基于读取的所述奇偶校验数据对从所述非易失性存储器件读取的所述用户数据执行ECC解码。
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