[发明专利]一种沟槽的制备方法在审
| 申请号： | 202111326597.5 | 申请日： | 2021-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN114220766A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 雷鹏 | 申请（专利权）人： | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 制备 方法 | ||
1.一种沟槽的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底；
于所述半导体衬底上形成第一电介质层；
于所述第一电介质层上形成图形化的第一光刻胶层；
刻蚀所述第一电介质层，形成贯穿所述第一电介质层的第一沟槽，所述第一沟槽具有第一宽度；
去除所述第一光刻胶层显露所述第一电介质层的表面；
形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述第一电介质层的表面且填充所述第一沟槽；
去除部分所述牺牲层显露所述第一电介质层的表面；
形成第二电介质层，所述第二电介质层覆盖所述第一电介质层的表面及所述牺牲层的表面；
于所述第二电介质层上形成图形化的第二光刻胶层；
刻蚀所述第二电介质层，形成贯穿所述第二电介质层的第二沟槽，所述第二沟槽具有第二宽度，且所述第二沟槽显露所述牺牲层；
去除所述第二光刻胶层及所述牺牲层，形成显露所述半导体衬底的沟槽。
2.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于：所述第二沟槽的第二宽度大于所述第一沟槽的第一宽度。
3.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于：所述第一沟槽及所述第二沟槽均为轴对称图形，且所述第一沟槽及所述第二沟槽的对称轴为同一垂线。
4.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于：在去除所述第二光刻胶层与去除所述牺牲层之间，还包括再进行M次形成牺牲层及电介质层的循环步骤，其中，M为大于等于1的正整数。
5.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于：所述第一电介质层及所述第二电介质层为相同材料层。
6.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于：所述第一沟槽的深宽比范围为1:1～100:1；所述第二沟槽的深宽比范围为1:1～100:1。
7.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于：所述第一沟槽包括深孔沟槽或深沟沟槽；所述第二沟槽包括深孔沟槽或深沟沟槽。
8.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于：所述第一沟槽的截面形状包括矩形、反梯形、“V”形及“U”形中的一种；所述第二沟槽的截面形状包括矩形、反梯形、“V”形及“U”形中的一种。
9.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于：所述第一电介质层包括氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层中的一种；所述第二电介质层包括氧化硅层、氮化硅层及氮氧化硅层中的一种。
10.根据权利要求1所述的沟槽的制备方法，其特征在于：所述牺牲层包括BARC层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
