[发明专利]一种高导热聚酰亚胺薄膜制备方法

说明书

本发明公开的属于聚酰亚胺薄膜制备技术领域，具体为一种高导热聚酰亚胺薄膜制备方法，该高导热聚酰亚胺薄膜的具体成分配比包括四甲酸二酐10‑20份、二甲基二苯醚8‑10份、芳香二胺15‑17份、联苯二酐8‑10份、石墨烯12‑14份、纳米膜9‑11份；该高导热聚酰亚胺薄膜制备方法的具体步骤流程如下，该高导热聚酰亚胺薄膜制备方法在制备聚酰亚胺薄膜的基础上添加石墨烯和纳米膜，使高导热聚酰亚胺薄膜不仅具有普通聚酰亚胺薄膜的优异特性，且具有极好的均匀导热性，导热系数能达到普通聚酰亚胺薄膜的6倍以上，可以使用在柔性加热器、柔性散热片、发热电路和能源装置热传导介质中，有着更高的使用品质。

技术领域

本发明涉及聚酰亚胺薄膜制备技术领域，具体为一种高导热聚酰亚胺薄膜制备方法。

背景技术

随着电子信息产业的迅猛发展，电子设备的高集成、高密度及高速化使得电路或芯片在极小的有限空间内迅速积聚热量，能否及时散热成为影响元器件使用寿命、运行稳定及安全性能的关键，电子元件产生的热量消耗也被认为是亟待解决的关键问题之一。

聚酰亚胺(PI)具有优异的热稳定性、电气绝缘性、机械性能及较低的介电性，被广泛应用于微电子、轨道交通、航空航天等领域。然而传统的PI膜导热系数仅为0.16W/(m·K)左右，几乎为热的绝缘体，应用于微电子的高密度和高速化运行时容易出现电路过热，影响元器件和集成电路的稳定性。

为了能够改变聚酰亚胺薄膜的高导热性，目前有较多方法均可以生产制备高导热聚酰亚胺薄膜，但是这些方法流程复杂，生产成本比较高，且制备后的高导热聚酰亚胺薄膜经过测试，导热性远远不够，从而在后期的使用中，会造成使用局限性比较大的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高导热聚酰亚胺薄膜制备方法，以解决上述背景技术中提出的目前大多数的聚酰亚胺薄膜导热性比较差，且少量的可以生产导热性聚酰亚胺薄膜的方法流程复杂，生产成本比较高，且制备后的高导热聚酰亚胺薄膜经过测试，导热性远远不够的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高导热聚酰亚胺薄膜制备方法，该高导热聚酰亚胺薄膜的具体成分配比包括四甲酸二酐10-20份、二甲基二苯醚8-10份、芳香二胺15-17份、联苯二酐8-10份、石墨烯12-14份、纳米膜9-11份；

该高导热聚酰亚胺薄膜制备方法的具体步骤流程如下：

制备基膜：取四甲酸二酐和二甲基二苯醚倒入研磨装置的内部，不断混合搅拌并进行研磨，直至四甲酸二酐和二甲基二苯醚呈粉末状，再将两种物质的混合物进行不断干燥，将初加工后的两种粉末混合物倒入容器的内部，并向容器的内部倒入适量的二甲基乙酰胺溶液，通过加热装置对其加热，调节加热装置的温度控制在10-20摄氏度，持续对混合物进行加热20-30分钟，在加热的同时并不断进行搅拌，得到聚酰胺酸溶液，放置备用；

制备覆膜：取芳香二胺和联苯二酐倒入粉碎研磨装置的内部，不断研磨20-30分钟，直至芳香二胺和联苯二酐呈粉末状，将芳香二胺和联苯二酐的粉末混合物倒入容器的内部，再向容器的内部加入二甲基乙酰胺溶液，不断混合搅拌，在混合搅拌的同时通过加热装置对其进行不断加热，调节加热装置的温度控制在10-20摄氏度，持续加热15-20分钟，当几种物质完全混合后，将石墨烯放置到研磨装置的内部，加工成石墨烯粉末，将石墨烯粉末通过hummers法加工成氧化石墨烯，将氧化石墨烯再倒入芳香二胺、联苯二酐和二甲基乙酰胺溶液混合溶液中，得到聚酰胺酸溶液；

混合加工：将步骤一种得到的聚酰胺酸溶液和步骤二中得到的聚酰胺酸溶液均倒入容器的内部，向混合聚酰胺酸溶液中加入纳米膜，使用加热装置对其进行不断加热，直至纳米膜融化，使用搅拌装置对混合物不断搅拌20-30分钟，将溶解的纳米膜与混合聚酰胺酸溶液完全混合；

钢带流涎：将步骤三中的混合物进行钢带流涎制成聚酰胺酸固体膜；