[发明专利]OLED显示面板、及其像素电路基板和加工方法在审

专利信息
申请号: 202111314222.7 申请日: 2021-11-08
公开(公告)号: CN114023913A 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 王旭;李子华;张瑞卿;王强;王旭东;金文强;徐国芳;景国栋;郭强;蔡璐;徐东;李春波;刘乐 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 崔家源;范继晨
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: oled 显示 面板 及其 像素 路基 加工 方法
【说明书】:

本公开实施例提供了一种OLED显示面板、及其像素电路基板和加工方法,像素电路基板至少包括:多个像素结构,相邻像素结构的阳极区域通过预定分割区域分割,预定分割区域内的预定位置设置有凸起结构,预定位置的宽度小于或等于阳极层的刻蚀区域的宽度,预定位置的长度大于或等于阳极层的刻蚀区域的长度。本公开实施例的将原有预定分割区域内设置了一个凸起结构,在设置阳极层和PR胶层时,原有处于平面的阳极层和PR胶层被凸起结构支撑起,原有PR胶层的厚度被凸起结构占据一部分,导致预定分割区域内的PR胶层变薄,因此在进行曝光显影时,能够将PR胶完全洗掉,进而在刻蚀阳极层时,阳极层能够被完全刻蚀掉,不会再出现阳极残留问题。

技术领域

本公开涉及显示领域,特别涉及一种OLED显示面板、及其像素电路基板和加工方法。

背景技术

在目前OLED产品生产过程中,在制作Anode Mask(阳极模板)时,由于PLN孔(平坦层孔,在平坦层上设置的)周围处会出现PR胶堆叠的情况,此处PR胶较厚,不容易曝开,导致后续刻蚀过程中PLN过孔位置的阳极无法完全刻蚀掉,发生Anode Remain(残留),进而引起片状发亮不良。

发明内容

有鉴于此,本公开实施例提出了一种OLED显示面板、及其像素电路基板和加工方法,用以解决现有技术的如下问题:在制作Anode Mask时,由于PLN孔周围处PR胶堆叠导致后续刻蚀过程中PLN过孔位置的阳极无法完全刻蚀掉,发生Anode Remain(残留),进而引起片状发亮不良。

一方面,本公开实施例提出了一种OLED显示面板的像素电路基板,至少包括:多个像素结构,相邻像素结构的阳极区域通过预定分割区域分割,所述预定分割区域分割内的预定位置设置有凸起结构,所述预定位置的宽度小于或等于阳极层的刻蚀区域的宽度,所述预定位置的长度大于或等于阳极层的刻蚀区域的长度。

在一些实施例中,所述凸起结构设置宽度等于所述预定位置的宽度。

在一些实施例中,所述凸起结构的材料为非金属材料。

在一些实施例中,所述凸起结构的材料包括以下之一:氮化硅,氧化硅。

在一些实施例中,所述凸起结构的剖面形状至少包括以下之一:半圆形、梯形、方形、三角形。

另一方面,本公开实施例提出了一种OLED显示面板,至少包括:本公开任一实施例所述的OLED显示面板的像素电路基板。

另一方面,本公开实施例提出了一种OLED显示面板的像素电路基板的加工方法,用于加工本公开任一实施例所述的OLED显示面板的像素电路基板,包括:在第一平坦层的预定位置上设置凸起结构,其中,所述预定位置设置在相邻像素结构的阳极区域的预定分割区域中,所述预定位置的宽度小于或等于阳极层的刻蚀区域的宽度,所述预定位置的长度大于或等于阳极层的刻蚀区域的长度;在所述第一平坦层和所述凸起结构上设置阳极层;在所述阳极层上涂覆PR胶层;对PR胶层进行曝光显影处理,以去掉所述预定分割区域内的PR胶层;对显影处理后所述预定分割区域内露出的阳极层进行刻蚀处理,以得到具有凸起结构的所述预定分割区域;对具有所述凸起结构的所述预定分割区域的基板进行PR胶剥离处理,以得到具有裸露的阳极层的像素电路基板。

在一些实施例中,所述得到具有裸露的阳极层的像素电路基板之后,还包括:在所述像素电路基板上涂布第二平坦层。

在一些实施例中,所述对PR胶层进行曝光显影处理,包括:按照预定图案模板对所述PR胶层进行曝光处理;对曝光处理后的所述PR胶层进行显影处理。

在一些实施例中,所述在第一平坦层的预定位置上设置凸起结构,包括:设置所述凸起结构的宽度等于所述预定位置的宽度。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111314222.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top