[发明专利]一种电路板的OSP工艺及电路板在审
申请号: | 202111310105.3 | 申请日: | 2021-11-03 |
公开(公告)号: | CN114126250A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 唐文元;蒋军林;易煌;邓孟荣;周路君;何江华 | 申请(专利权)人: | 中山国昌荣电子有限公司 |
主分类号: | H05K3/28 | 分类号: | H05K3/28;H05K1/02 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 易彬 |
地址: | 528400 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电路板 osp 工艺 | ||
1.一种电路板的OSP工艺,其特征在于:包括以下步骤:
将电路板放置于OSP槽液中处理30s~45s;
所述OSP槽液的pH为2.6~3.1;
所述处理的温度为35℃~40℃;
所述OSP槽液中铜离子的质量浓度为1ppm~5ppm;
所述OSP槽液中锌离子的质量浓度为1ppm~5ppm。
2.根据权利要求1所述的电路板的OSP工艺,其特征在于:所述OSP槽液处理过程中的pH为2.6~2.7。
3.根据权利要求1所述的电路板的OSP工艺,其特征在于:所述OSP工艺的成膜膜厚为0.2μm~0.4μm。
4.根据权利要求1所述的电路板的OSP工艺,其特征在于:所述处理步骤中还需要添加pH调节剂;优选地,所述pH调节剂包括有机羧酸或碱中的一种。
5.根据权利要求1所述的电路板的OSP工艺,其特征在于:所述OSP工艺还包括除油和微蚀;所述除油的温度为35℃~40℃。
6.根据权利要求5所述的电路板的OSP工艺,其特征在于:所述微蚀的反应液包括酸和氧化剂;优选地,所述酸的体积分数为5%~7%。
7.根据权利要求6所述的电路板的OSP工艺,其特征在于:所述氧化剂的体积分数为5%~7%。
8.根据权利要求6所述的电路板的OSP工艺,其特征在于:所述微蚀的温度为35℃~40℃。
9.根据权利要求6所述的电路板的OSP工艺,其特征在于:所述微蚀的微蚀率为1μm~2μm。
10.一种电路板,其特征在于:由权利要求1至9任一项所述的电路板的OSP工艺处理得到。
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