[发明专利]一种光电耦合器的筛选方法

说明书

本发明公开的一种光电耦合器的筛选方法，包括以下步骤：步骤S1，选取不同批次的光电耦合器产品；步骤S2，将选取的光电耦合器安装在测试台上，在20mA的电流条件下，通过重复多次的VF值测试，观察线性变化，对光电耦合器进行常规VF值测试；步骤S3，采用200mA大电流连续冲击200次；步骤S4，采用50mA和10mA的高低电流连续冲击；通过增加200mA电流冲击检验芯片损伤，以及增加10mA与50mA大小电流冲击下的VF值波动误差、来检测芯片损伤及键合线超声波键合虚焊问题，来筛选存在超声波键合焊接不稳定、导致红外发射芯片阻值变化大的不良品。

【技术领域】

本发明涉及电子电器技术，尤其涉及一种光电耦合器的筛选方法。

【背景技术】

光电耦合器是把发光二极管和光敏三极管封装在一起，通过光电之间的互相转换实现信号传递的器件，凭借其体积小、寿命长、无触点、抗干扰性强、传输速度高、输出与TTL和CMOS电路兼容等特点，被广泛应用于军事、航天、核技术等特殊空间环境的电子设备上。在高速光电耦合器的筛选中，光耦中的微观缺陷不会造成光耦的突然失效，但是有可能会出现故障复现困难的情况，给失效归零造成一定的困扰；因此，性能测试全面的可靠性测试极其重要，它能配合相关试验尽早的剔除早期性能存在缺陷的产品，可有效提高整机系统的可靠性。

光电耦合器主要由红外发光二极管、光敏三极管、键合丝、基板、导光胶和外封装材料组成。键合丝主要用于建立红外发光二极管、光敏三极管与电路输入输出键合点间的电气连接，其主要材料有金、银、铜和铝等。光电耦合器的生产制程中，键合点颈缩处的断路或虚接是最常见的一类微观缺陷，也是光耦键合工艺的薄弱环节，易受到剪切应力的影响。造成这种缺陷的原因之一是光耦内部的硅胶与基板、塑封材料的热膨胀系数差异过大，当受到强烈的热冲击或长时间处于较强的热应力时，光耦内部的键合丝就会受到水平方向上的剪切力作用；由于应力集中，键合点处会首先拉脱断开或进而虚接。此外，还包括在光耦制作过程中造成的键合点微观缺陷，如操作人员在焊接时压力过大或过小导致键合点产生过压焊或虚焊现象。

如光电耦合器817产品，对应发射端红外发光二极管芯片的焊线作业，一般通过超声波键合动作，使键合线与芯片焊垫及二焊点连接形成电路导通，而焊线作业过程中键合压板压合的精准度、芯片焊垫硬度及厚度等相关因素，也会直接影响超声波键合作业的稳定性，由于以上因素，常常造成焊线作业异常。而焊线作业异常是光电耦合器生产制程中，产生不良问题的主要因素，同时由于这些不良问题的可视性差，虽然加大人工抽检比例的筛选，对不良管控有一定帮助，但会造成极大的人工成本支出和产品浪费。

【发明内容】

本发明提供一种适用于光电耦合器817的产品筛选，在不影响产品制程工作效率的前提条件下，有效提升出货产品可靠性的光电耦合器的筛选方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种光电耦合器的筛选方法，包括以下步骤：

步骤S1，选取不同批次的光电耦合器产品；

步骤S2，将选取的光电耦合器安装在测试台上，在20mA的电流条件下，通过重复多次的VF值测试，观察线性变化，若线性稳定且VF值在规定范围内，则判定光电耦合器产品的质量一致性良好；

步骤S3，采用200mA大电流连续冲击200次，检验光耦内部芯片的损伤，若测试数据无波动则判定光电耦合器产品的质量稳定；

步骤S4，采用50mA和10mA的高低电流连续冲击，检验光耦内部芯片的损伤，并依据光电耦合器产品的阻值，红外发射芯片的VF值与电流的线性特性，采用50mA和10mA的大小电流冲击测试光电耦合器产品的VF值，相互之间进行差值计算，依据光电耦合器VF特性值波动的变化线性差异，来筛选存在超声波键合焊接不稳定、导致红外发射芯片阻值变化大的不良品。

进一步地，所述步骤S4中还包括：