[发明专利]一种光电耦合器的筛选方法

权利要求书

1.一种光电耦合器的筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，选取不同批次的光电耦合器产品；

步骤S2，将选取的光电耦合器安装在测试台上，在20mA的电流条件下，通过重复多次的VF值测试，观察线性变化，若线性稳定且VF值在规定范围内，则判定光电耦合器产品的质量一致性良好；

步骤S3，采用200mA大电流连续冲击200次，检验光耦内部芯片的损伤，若测试数据无波动则判定光电耦合器产品的质量稳定；

步骤S4，采用50mA和10mA的高低电流连续冲击，检验光耦内部芯片的损伤，并依据光电耦合器产品的阻值，红外发射芯片的VF值与电流的线性特性，采用50mA和10mA的大小电流冲击测试光电耦合器产品的VF值，相互之间进行差值计算，依据光电耦合器VF特性值波动的变化线性差异，来筛选存在超声波键合焊接不稳定、导致红外发射芯片阻值变化大的不良品。

2.根据权利要求1所述的一种光电耦合器的筛选方法，其特征在于：所述步骤S4中还包括：

光电耦合器产品测试中，在10mA、20mA、50mA、200mA不同电流条件下分别测试VF值；

并针对10mA、20mA、50mA、200mA不同条件下的VF值，相互之间进行差值计算，计算不同条件下的数据误差；

结合制程选取的单芯片20mA条件下VF原始值范围为1.24-1.28V，大小电流对比观察200mA与10mA条件下误差波动相对较大，故此选择50mA与10mA条件下误差作为参考值，范围限定为≤0.220，由此判定，VF误差值大于0.27的光电耦合器产品为虚焊不良产品。