[发明专利]显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202111304955.2 | 申请日: | 2021-11-05 |
公开(公告)号: | CN114023802A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 李银川;张峰;毛帅英 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人: | 梁珺 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种显示面板及其制作方法,所述显示面板具有图像显示区域和围绕所述图像显示区域的周边区域,所述显示面板还包括:基板;焊盘,所述焊盘设置于所述基板的一侧,位于所述周边区域中,所述焊盘包括顶面和围绕所述顶面设置的侧壁,所述侧壁自所述基板朝向所述顶面突出;以及隔离层,所述隔离层覆盖于所述侧壁的外侧表面上;其中,表面处理所述侧壁的外侧表面形成所述隔离层。在像素电极图案化制程中,隔离层能够有效避免焊盘暴露于蚀刻液中,避免蚀刻液中的银离子析出而导致暗点缺陷的发生,提升显示面板的显示品质和制程良率。
技术领域
本发明属于图像显示技术领域,特别关于一种显示面板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备通常包括空穴注入电极、电子注入电极和形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发光层。OLED显示设备是当从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发光层中复合至其后逐渐消失的激发态来发光。
与其他类型的显示装置相比,由于其诸如功耗相对低、亮度相对高以及响应速度相对快的高质量特性,OLED显示设备作为下一代显示器而备受关注。
OLED显示设备的显示面板可以包括多个薄膜晶体管和发光的有机发光二极管,利用多个光掩模通过光刻工艺(或者图案化制程)来制造薄膜晶体管和有机发光二极管。其中,在光刻工艺期间,显示面板的焊盘的金属层中活泼的金属元素容易与蚀刻液中离子态的金属例如:银(Ag)离子反应,致使离子态的金属析出形成金属颗粒,而这种析出的金属颗粒容易导致暗点等显示异常。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法,用于克服光刻工艺期间,蚀刻液对焊盘区域的影响,导致的暗点等显示异常。
本发明技术方案提供了一种显示面板,所述显示面板具有图像显示区域和围绕所述图像显示区域的周边区域,所述显示面板还包括:基板;焊盘,所述焊盘设置于所述基板的一侧,位于所述周边区域中,所述焊盘包括顶面和围绕所述顶面设置的侧壁,所述侧壁自所述基板朝向所述顶面突出;以及隔离层,所述隔离层覆盖于所述侧壁的外侧表面上;其中,表面处理所述侧壁的外侧表面形成所述隔离层。
作为可选的技术方案,所述焊盘至少包括含铝的中间层,所述含铝的中间层的边缘经表面处理形成氧化铝隔离层。
作为可选的技术方案,所述基板的一侧还设有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于所述图像显示区域中,所述薄膜晶体管包括自下而上层叠设置的有源层、栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极和漏电极;所述焊盘包括第一焊盘层和第二焊盘层,所述第二焊盘层覆盖于所述第一焊盘层上方;所述第一焊盘层、所述源电极和所述漏电极分别设置于所述层间绝缘层上;所述第一焊盘层具有第一侧壁;所述第二焊盘层具有第二侧壁;其中,表面处理所述第一侧壁的外侧表面和所述第二侧壁的外侧表面形成所述隔离层;或者,所述第二侧壁突出于所述第一侧壁,表面处理所述第二侧壁的外侧表面形成所述隔离层。
作为可选的技术方案,所述显示面板还包括自下而上层叠设置的第一平坦层、接触电极、第二平坦层和像素电极,所述第一平坦层、所述接触电极、所述第二平坦层和所述像素电极分别位于所述图像显示区域中;所述第一平坦层位于所述薄膜晶体管的上方,所述第二焊盘层位于和所述接触电极所形成的层相同的层上。
本发明还提供一种显示面板的制作方法,所述显示面板具有图像显示区域和围绕所述图像显示区域的周边区域,所述显示面板的制作方法包括:
提供基板,所述基板的一侧形成有焊盘,所述焊盘位于所述周边区域;
形成平坦层于所述基板的一侧,所述平坦层覆盖所述焊盘;
图案化所述平坦层形成第一隔绝图案,所述第一隔绝图案覆盖于所述焊盘的顶面上,且使得所述焊盘的侧壁暴露出,所述侧壁自所述基板朝向所述顶面突出;以及
表面处理所述侧壁的外侧表面,于所述侧壁的外侧表面上形成隔离层。
作为可选的技术方案,还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的