[发明专利]显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202111304955.2 | 申请日: | 2021-11-05 |
公开(公告)号: | CN114023802A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 李银川;张峰;毛帅英 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人: | 梁珺 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,所述显示面板具有图像显示区域和围绕所述图像显示区域的周边区域,其特征在于,所述显示面板还包括:
基板;
焊盘,所述焊盘设置于所述基板的一侧,位于所述周边区域中,所述焊盘包括顶面和围绕所述顶面设置的侧壁,所述侧壁自所述基板朝向所述顶面突出;以及
隔离层,所述隔离层覆盖于所述侧壁的外侧表面上;
其中,表面处理所述侧壁的外侧表面形成所述隔离层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述焊盘至少包括含铝的中间层,所述含铝的中间层的边缘经表面处理形成氧化铝隔离层。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基板的一侧还设有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于所述图像显示区域中,所述薄膜晶体管包括自下而上层叠设置的有源层、栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极和漏电极;所述焊盘包括第一焊盘层和第二焊盘层,所述第二焊盘层覆盖于所述第一焊盘层上方;所述第一焊盘层、所述源电极和所述漏电极分别设置于所述层间绝缘层上;所述第一焊盘层具有第一侧壁;所述第二焊盘层具有第二侧壁;其中,表面处理所述第一侧壁的外侧表面和所述第二侧壁的外侧表面形成所述隔离层;或者,所述第二侧壁突出于所述第一侧壁,表面处理所述第二侧壁的外侧表面形成所述隔离层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括自下而上层叠设置的第一平坦层、接触电极、第二平坦层和像素电极,所述第一平坦层、所述接触电极、所述第二平坦层和所述像素电极分别位于所述图像显示区域中;所述第一平坦层位于所述薄膜晶体管的上方,所述第二焊盘层位于和所述接触电极所形成的层相同的层上。
5.一种显示面板的制作方法,所述显示面板具有图像显示区域和围绕所述图像显示区域的周边区域,其特征在于,所述显示面板的制作方法包括:
提供基板,所述基板的一侧形成有焊盘,所述焊盘位于所述周边区域;
形成平坦层于所述基板的一侧,所述平坦层覆盖所述焊盘;
图案化所述平坦层形成第一隔绝图案,所述第一隔绝图案覆盖于所述焊盘的顶面上,且使得所述焊盘的侧壁暴露出,所述侧壁自所述基板朝向所述顶面突出;以及
表面处理所述侧壁的外侧表面,于所述侧壁的外侧表面上形成隔离层。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,还包括:
于所述平坦层上方形成导电材料层;
图案化所述导电材料层形成像素电极,所述像素电极位于所述图像显示区域中;以及
移除所述第一隔绝图案,以使所述焊盘的顶面暴露出。
7.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,图案化所述平坦层形成第一隔绝图案,所述第一隔绝图案覆盖于所述焊盘的顶面上,且使得所述焊盘的侧壁暴露的步骤包括:
图案化所述平坦层位于所述周边区域的部分,形成隔绝图案,所述隔绝图案包括第一隔绝图案和第二隔绝图案,所述第一隔绝图案覆盖于所述焊盘的顶面,所述第二隔绝图案覆盖于所述焊盘的侧壁的外侧表面上;以及
移除所述第二隔绝图案,以使所述焊盘的侧壁暴露出;
其中,所述第一隔绝图案的膜层厚度大于等于所述第二隔绝图案的膜层厚度的两倍。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,采用半色调掩膜图案化所述平坦层位于所述周边区域的部分,形成所述隔绝图案。
9.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法,其特征在于,表面处理所述侧壁的外侧表面,并于所述侧壁的外侧表面上形成隔离层的步骤包括:
所述焊盘至少包括含铝的中间层,所述含铝的中间层的边缘位于所述外侧表面上;
表面处理所述含铝的中间层的边缘,形成所述隔离层,所述隔离层为氧化铝隔离层。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述焊盘还包括含钛的第一层和含钛的第二层,所述含钛的第一层和所述含钛的第二层分别位于所述含铝的中间层相对的两侧,所述第一隔绝图案覆盖所述含钛的第一层的上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的