[发明专利]电子装置及其制造方法在审
申请号: | 202111304713.3 | 申请日: | 2021-11-05 |
公开(公告)号: | CN114023772A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 苏群皓;张家铭;戴嘉文;游江津;林岱佐;林俊男 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
本发明公开一种电子装置及其制造方法。电子装置包括阵列基板。阵列基板包括基材、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层。基材具有基材表面。第一导电层位于基材表面上。第一绝缘层位于第一导电层上。第二导电层位于第一绝缘层上且包括第一溅镀层、第二溅镀层及第三溅镀层。第二绝缘层位于第二导电层上。第二溅镀层位于第一溅镀层与第三溅镀层之间,第二溅镀层包括第一金属元素,第一溅镀层包括第一金属元素与第二金属元素,且第三溅镀层包括第一金属元素与第三金属元素。
技术领域
本发明涉及一种装置及其制造方法,且特别是涉及一种电子装置及其制造方法。
背景技术
一般来说,显示面板的连接垫是利用双层或多层金属叠构而成,相邻两金属层之间为了降低金属层自绝缘层剥离,通常会在相邻两金属层之间设置钼(molybdenum;Mo)层以加强其覆着力。然而,当连接垫与电子元件的导电端子接合时,可能会有接合强度不佳的问题,而影响良率。
发明内容
本发明提供一种电子装置,可以具有较佳的良率。
本发明提供一种电子装置的制造方法,可以提升接合强度,并使电子装置的良率提升。
本发明的电子装置包括阵列基板。阵列基板包括基材、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层。基材具有基材表面。第一导电层位于基材表面上。第一绝缘层位于第一导电层上。第二导电层位于第一绝缘层上且包括第一溅镀层、第二溅镀层及第三溅镀层。第二绝缘层位于第二导电层上。其中,第二溅镀层位于第一溅镀层与第三溅镀层之间,第二溅镀层包括第一金属元素,第一溅镀层包括第一金属元素与第二金属元素,且第三溅镀层包括第一金属元素与第三金属元素。
本发明的电子装置的制作方法包括提供阵列基板,阵列基板包括基材、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层。基材具有基材表面。第一导电层位于基材表面上。第一绝缘层位于第一导电层上。第二导电层位于第一绝缘层上且包括第一溅镀层、第二溅镀层及第三溅镀层。第二绝缘层位于第二导电层上。其中,第二溅镀层位于第一溅镀层与第三溅镀层之间,第二溅镀层包括第一金属元素,第一溅镀层包括第一金属元素与第二金属元素,且第三溅镀层包括第一金属元素与第三金属元素。提供电子元件。电子元件包括元件本体及配置于元件本体上的导电端子。至少使阵列基板与电子元件相接触,以使阵列基板中至少部分的第二导电层及电子元件中部分的导电端子形成导电连接结构。
基于上述,本发明的电子装置具有阵列基板,阵列基板的第二导电层包括第一溅镀层、第二溅镀层及第三溅镀层,由于第一溅镀层与第一绝缘层直接接触,且第一溅镀层包括第一金属元素与第二金属元素,进而可加强第二导电层与绝缘层的覆着力,避免其自绝缘层剥离,而具有较佳的良率。由于第三溅镀层位于第二溅镀层上,使第二溅镀层受第三溅镀层的保护,可解决第二溅镀层表面易氧化的问题。此外,本发明的电子装置的制造方法,通过阵列基板与电子元件相接触而形成的导电连接结构,可具有良好的接合强度,使电子装置的良率提升。
附图说明
图1A至图4D是本发明第一实施例的电子装置的部分制造流程的部分示意图;
图5至图6是本发明第二实施例的电子装置的部分制造流程的部分示意图。
符号说明
10A、10B:电子装置
100:阵列基板
101:基材
101a:基材表面
110:第一导电层
112、142:第一溅镀层
114、144:第二溅镀层
120:第一绝缘层
130:半导体层
140:第二导电层
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的