[发明专利]电子装置及其制造方法在审
申请号: | 202111304713.3 | 申请日: | 2021-11-05 |
公开(公告)号: | CN114023772A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 苏群皓;张家铭;戴嘉文;游江津;林岱佐;林俊男 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子装置,包括:
阵列基板,包括:
基材,具有基材表面;
第一导电层,位于所述基材表面上;
第一绝缘层,位于所述第一导电层上;
第二导电层,位于所述第一绝缘层上且包括第一溅镀层、第二溅镀层及第三溅镀层;以及
第二绝缘层,位于所述第二导电层上,其中:
所述第二溅镀层位于所述第一溅镀层与所述第三溅镀层之间;
所述第二溅镀层包括第一金属元素;
所述第一溅镀层包括所述第一金属元素与第二金属元素;且
所述第三溅镀层包括所述第一金属元素与第三金属元素。
2.如权利要求1所述的电子装置,其中:
所述第一溅镀层包括所述第一金属元素与所述第二金属元素的合金;
所述第二溅镀层不包括所述第二金属元素或所述第三金属元素;且/或所述第三溅镀层包括所述第一金属元素与所述第三金属元素的合金。
3.如权利要求2所述的电子装置,其中所述阵列基板还包括半导体层,且所述基材包括主动区及非主动区,其中:
在对应于所述非主动区的范围内,至少部分的所述第二导电层构成连接垫;且
在对应于所述主动区的范围内,至少部分的所述第一导电层、部分的所述半导体层及部分的所述第二导电层构成主动元件。
4.如权利要求3所述的电子装置,其中在对应于所述非主动区的范围内,部分的所述第二导电层嵌入所述第一绝缘层,以构成电连接至部分的所述第一导电层的导通结构。
5.如权利要求1所述的电子装置,其中所述第一导电层的厚度或所述第二导电层的厚度介于500nm至1500nm。
6.如权利要求1所述的电子装置,还包括:
电子元件,包括元件本体及配置于所述元件本体上的导电端子;以及
导电连接结构,直接连接所述导电端子及所述第二导电层。
7.如权利要求6所述的电子装置,其中所述导电连接结构还直接连接所述第一导电层。
8.如权利要求6所述的电子装置,其中在垂直于所述基材表面的方向上,所述导电连接结构包括第一区及第二区,其中:
所述第一区较所述第二区接近所述基材表面;
所述导电端子包括第四金属元素;
在所述第一区中,所述第一金属元素对所述第四金属元素具有第一比值;
在所述第二区中,所述第一金属元素对所述第四金属元素具有第二比值;且
所述第一比值大于所述第二比值。
9.如权利要求8所述的电子装置,其中所述第一金属元素对所述第四金属元素的比值从所述第一区向所述第二区逐渐递减。
10.一种电子装置的制作方法,包括:
提供阵列基板,所述阵列基板包括:
基材,具有基材表面;
第一导电层,位于所述基材表面上;
第一绝缘层,位于所述第一导电层上;
第二导电层,位于所述第一绝缘层上且包括第一溅镀层、第二溅镀层及第三溅镀层;以及
第二绝缘层,位于所述第二导电层上,其中:
所述第二溅镀层位于所述第一溅镀层与所述第三溅镀层之间;
所述第二溅镀层包括第一金属元素;
所述第一溅镀层包括所述第一金属元素与第二金属元素;且
所述第三溅镀层包括所述第一金属元素与第三金属元素;
提供电子元件,其包括元件本体及配置于所述元件本体上的导电端子;以及
至少使所述阵列基板与所述电子元件相接触,以使所述阵列基板中至少部分的所述第二导电层及所述电子元件中部分的所述导电端子形成导电连接结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的