[发明专利]IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统

说明书

本发明一个或多个实施例提供一种IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统，过电流保护电路包括：保护开关和控制电路；所述控制电路与所述保护开关的第一端、第二端以及第三端连接，所述保护开关的第二端与电源电路连接，第三端与IGBT动态测试回路连接；在所述IGBT动态测试回路中的被测IGBT失效短路时，所述控制电路检测所述保护开关第二端与第三端之间的第一电压，并在所述第一电压超过预设参考电压时关断所述保护开关，切断所述电源电路的直通放电通道。本发明能够在IGBT动态测试系统出现失效过电流时能有效限制回路电流，保护整个系统不会受到大电流的冲击，电路结构简单，且快速又可靠。

技术领域

本发明属于一种电子器件测试技术领域，具体是涉及到一种IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统。

背景技术

在绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)动态测试系统中，通常会存在大容量支撑电容储能，当被测IGBT在失效后，将造成电容直通放电，大容量电容能量通过测试回路瞬间释放，将对整个测试系统中造成很大的冲击，若保护不当，将加快设备的老化过程，加大设备的故障率，严重的将使整个测试系统瘫痪。因此，短时间内检测到回路过电流并且及时将大电流关断极为重要。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统，以解决在IGBT动态测试系统出现失效过电流对整个测试系统中造成很大冲击的问题。

基于上述目的，本发明一个或多个实施例提供了一种IGBT动态测试的过电流保护电路，包括：保护开关和控制电路；所述控制电路与所述保护开关的第一端、第二端以及第三端连接，所述保护开关的第二端与电源电路连接，第三端与IGBT动态测试回路连接；在所述IGBT动态测试回路中的被测IGBT失效短路时，所述控制电路检测所述保护开关第二端与第三端之间的第一电压，并在所述第一电压超过预设参考电压时关断所述保护开关，切断所述电源电路的直通放电通道。

可选的，所述控制电路包括：第一二极管、第一电容、检测驱动电路以及微控制器，所述微控制器与所述检测驱动电路进行通信连接，以传输故障信号和控制信号；所述检测驱动电路的第一端与所述第一二极管的阳极连接，并通过所述第一电容接参考地，所述第一二极管的阴极与所述保护开关的第二端连接，所述检测驱动电路的第二端与所述保护开关的第三端连接，并接所述参考地，所述检测驱动电路的第三端与所述保护开关的第一端连接。

可选的，所述检测驱动电路包括：电流源、开关管以及比较器；所述检测驱动电路的第一端在内部与所述比较器的同相输入端以及所述开关管的漏极连接，所述检测驱动电路的第一端在内部还接所述电流源，所述比较器的反相输入端接所述预设参考电压，所述检测驱动电路的第二端在内部与所述开关管的源极连接，所述开关管的栅极以及所述比较器的输出端与所述微控制器连接。

可选的，所述控制电路还包括第一电阻，所述第一二极管的阳极通过所述第一电阻与所述检测驱动电路的第一端连接。

可选的，所述控制电路还包括：第二电阻，所述检测驱动电路的第三端通过所述第二电阻与所述保护开关的第一端连接。

可选的，所述保护开关为IGBT晶体管。

可选的，所述保护开关为MOSFET晶体管，所述过电流保护电路还包括第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述MOSFET晶体管的第三端连接，所述第二二极管的阴极与所述MOSFET晶体管的第二端连接。

可选的，所述保护开关的第一端为栅极，所述保护开关的第二端为集电极，所述保护开关的第三端为发射极。

基于同一发明构思，本发明一个或多个实施例还提出了一种IGBT动态测试系统，包括：电源电路、IGBT动态测试回路以及前述的过电流保护电路。