[发明专利]IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统

权利要求书

1.一种IGBT动态测试的过电流保护电路，其特征是，所述过电流保护电路包括：保护开关和控制电路；所述控制电路与所述保护开关的第一端、第二端以及第三端连接，所述保护开关的第二端与电源电路连接，第三端与IGBT动态测试回路连接；在所述IGBT动态测试回路中的被测IGBT失效短路时，所述控制电路检测所述保护开关的第二端与第三端之间的第一电压，并在所述第一电压超过预设参考电压时关断所述保护开关，切断所述电源电路的直通放电通道。

2.如权利要求1所述的过电流保护电路，其特征是，所述控制电路包括：第一二极管、第一电容、检测驱动电路以及微控制器，所述微控制器与所述检测驱动电路进行通信连接，以传输故障信号和控制信号；所述检测驱动电路的第一端与所述第一二极管的阳极连接，并通过所述第一电容接参考地，所述第一二极管的阴极与所述保护开关的第二端连接，所述检测驱动电路的第二端与所述保护开关的第三端连接，并接所述参考地，所述检测驱动电路的第三端与所述保护开关的第一端连接。

3.如权利要求2所述的过电流保护电路，其特征是，所述检测驱动电路包括：电流源、开关管以及比较器；所述检测驱动电路的第一端在内部与所述比较器的同相输入端以及所述开关管的漏极连接，所述检测驱动电路的第一端在内部还接所述电流源，所述比较器的反相输入端接所述预设参考电压，所述检测驱动电路的第二端在内部与所述开关管的源极连接，所述开关管的栅极以及所述比较器的输出端与所述微控制器连接。

4.如权利要求1所述的过电流保护电路，其特征是，所述控制电路还包括第一电阻，所述第一二极管的阳极通过所述第一电阻与所述检测驱动电路的第一端连接。

5.如权利要求1所述的过电流保护电路，其特征是，所述控制电路还包括：第二电阻，所述检测驱动电路的第三端通过所述第二电阻与所述保护开关的第一端连接。

6.如权利要求1所述的过电流保护电路，其特征是，所述保护开关为IGBT晶体管。

7.如权利要求1所述的过电流保护电路，其特征是，所述保护开关为MOSFET晶体管，所述过电流保护电路还包括第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述MOSFET晶体管的第三端连接，所述第二二极管的阴极与所述MOSFET晶体管的第二端连接。

8.如权利要求1-7任一项所述的过电流保护电路，其特征是，所述保护开关的第一端为栅极，所述保护开关的第二端为集电极，所述保护开关的第三端为发射极。

9.一种IGBT动态测试系统，其特征是，所述IGBT动态测试系统包括：电源电路、IGBT动态测试回路以及如权利要求1-8中任一项所述的过电流保护电路。

10.如权利要求9所述的IGBT动态测试系统，其特征是，所述电源电路包括：供电电源、第一开关以及支撑电容，所述供电电源的正极与所述第一开关的一端连接，所述第一开关的另一端与所述过电流保护电路以及所述支撑电容的一端连接，所述供电电源的负极与所述支撑电容的另一端以及所述IGBT动态测试回路连接。